位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1127页 > M7010R-066ZA1T > M7010R-066ZA1T PDF资料 > M7010R-066ZA1T PDF资料1第30页
M7010R
表18.读命令参数
CMD参数
CMD[2]
0
读命令
单读
描述
读出的数据阵列，掩模阵列，外部SRAM的一个位置，
或设备寄存器。所有的访问信息被施加到DQ总线。
读出的位置的块的数据阵列或掩模阵列作为
爆裂。
内部寄存器（ RBURADR ）指定的起始地址和
从数据阵列或掩模阵列的数据传输的长度，并且它
自动递增的地址为每个访问。
所有其他的访问信息被施加到DQ总线。
注意：
设备寄存器和外部SRAM只能读在
单读模式。
1
突发读
表19.数据和掩码数组， SRAM读取地址格式
DQ
[67:30]
DQ
[29]
DQ
[28:26]
DQ
[25:21]
DQ
[20:19]
DQ
[18:14]
DQ
[13:0]
版权所有
成功的搜索
0 ：直接
寄存器索引
1 ：间接（如果适用DQ [ 29 ]
是间接的）
ID
00 ：数据
ARRAY
如果DQ [29]是' 0 '，这个领域进行
数据阵列位置的地址。
如果DQ [29]为“1 ”的成功
搜索注册指定的
保留DQ [ 28:26 ]提供的地址
：数据阵列位置的
{ SSR [13： 2]， SSR [1] | DQ [1]，
SSR [0] | DQ [0] }
(1)
如果DQ [29]是' 0 '，这个领域进行
掩模阵列位置的地址。
如果DQ [29]为“1 ”的成功
搜索注册指定的
保留DQ [ 28:26 ]提供的地址
：掩膜阵列位置的
{ SSR [13： 2]， SSR [1] | DQ [1]，
SSR [0] | DQ [0] }
(1)
如果DQ [29]是' 0 '，这个领域进行
SRAM单元的地址。
保留如果DQ [29]为1时， “成功
搜索注册指定的
DQ [ 28:26 ]提供的地址
的SRAM单元。
版权所有
成功的搜索
0 ：直接
寄存器索引
1 ：间接（如果适用DQ [ 29 ]
是间接的）
ID
01 ：面膜
ARRAY
版权所有
成功的搜索
0 ：直接
寄存器索引
1 ：间接（如果适用DQ [ 29 ]
是间接的）
ID
10:
外
SRAM
注： 1。“ | ”表示逻辑或运算，而“ { } ”代表连接运算符。
表20.读地址格式内部寄存器
DQ [ 67:26 ]
版权所有
DQ [ 25:21 ]
ID
DQ [ 20:19 ]
11 ：注册
DQ [18： 6]
版权所有
DQ [5：0 ]
注册地址
30/67
