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M7010R
读命令
在读可以是数据数组的单个读，一
面膜阵列， SRAM或寄存器位置
（CMD [2] = 0）。它可以是一个脉冲串的READ （CMD [2] = 1）
使用内部自动递增地址寄存器
数据或面罩阵之三（ RBURADR ）某些地区可能
行动（见表18 ，第30和表19页
30的格式） 。
单位置读取操作需要6个周期，
如图20 ，第29页的突发读
添加了两个周期对于每个连续的读。该
在读指令提供萨德尔[ 21:19 ]位
周期A期间的驱动萨德尔[ 21:19 ]信号
一个SRAM单元的PIO读。
单读操作需要6 CLK周期，
在下面的序列：
–
1周期：
主机ASIC应用读取指令
梁支在CMD [1：0 ] （CMD [2] = 0 ），利用
CMDV = 1，并为DQ总线供给AD-
穿衣，如表19所示，第30页，表
20 ，第30页主机ASIC选择设备
为此ID [ 4 ： 0 ]匹配DQ [ 25:21 ]线。如果
DQ [ 25:21 ] = 11111 ，主机ASIC选择
M7010R与LDEV位集。主机ASIC
还提供萨德尔[ 21:19 ]对CMD [ 8 ： 6]赛扬
读指令的第一百A如果读的是二
进行更正向外部SRAM 。
–
循环2 ：
主机ASIC释放DQ [ 67 ： 0 ]
公交车到三态状态。
–
循环3 ：
主机ASIC保持DQ [ 67 ： 0 ]总线
三态状态。
–
周期4 ：
所选的装置开始驱动的
DQ [ 67 ： 0 ]总线从硬盘Z中的ACK信号
为低。
–
周期5 ：
所选设备驱动READ
从上所述被寻址的位置数据
DQ [67 ：0]总线，并驱动所述ACK信号高。
–
周期6 ：
所选设备的浮动
DQ [67 ：0]总线，并驱动所述ACK信号低。
在周期6结束时，所选择的设备
释放ACK线到一个三态条件。该
读指令完成后，一个新的操作
化就可以开始。
突发读操作的时间， 4 + 2N CLK周期
（其中“n ”代表的存取中的数
由RBUR-的BLEN字段中指定的突发
REG）在图21所示的序列中，第
29.这个操作假定主机专用集成电路
已编程的RBURREG的起点
地址（地址）和传输长度（ BLEN ）
前启动突发读取命令。
–
1周期：
主机ASIC应用读取指令
梁支在CMD [1：0 ] （CMD [2] = 1），采用
CMDV = 1和到DQ提供的地址
总线，如表21所示，第31页的宿主
ASIC选择设备其ID [ 4 ： 0 ]匹配 -
ES的DQ [ 25:21 ]线。如果DQ [ 25:21 ] = 11111 ，
主机ASIC选择与该M7010R
LDEV位设置。
–
循环2 ：
主机ASIC浮DQ [ 67 ： 0 ]到三
状态条件。
–
循环3 ：
主机ASIC保持DQ [ 67 ： 0 ]总线
三态状态。
–
周期4 ：
所选的装置开始驱动的
DQ [ 67 ： 0 ]总线和驱动ACK ，和EOT从
为低。
–
周期5 ：
所选设备驱动READ
从上所述被寻址的位置数据
DQ [67 ：0]总线，并驱动所述ACK信号高。
注意：
周期四，五重复为每个额外
tional访问，直到在指定的所有访问
RBURREG的突发长度（ BLEN ）场均
完整的。在最后的转让， M7010R
驱动EOT信号高。
–
周期（4 + 2n）的：
选定的设备驱动
DQ [ 67 ： 0 ]为三态状态，并驱动
ACK和EOT信号低。
在周期4 + 2n个终止时，所选择的DE-
副浮ACK线三态状态。该
突发读取指令完成后，一个新的OP-
关合作就可以开始（见表21 ，第31页爆裂
读地址格式） 。
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