摩托罗拉
半导体技术资料
设计师
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通过MMDF2P02E / D
数据表
中功率表面贴装产品
TMOS的双P通道
场效应晶体管
MMDF2P02E
MINIMOS 设备是一种先进的系列功率MOSFET
它利用摩托罗拉的TMOS的过程。这些微型表面
安装MOSFET具有极低的RDS（on ）和真正的逻辑电平
性能。它们能够在经受高能量的
雪崩和换向模式和漏极 - 源极二极管
具有低的反向恢复时间。 MINIMOS装置被设计
在低电压，高速开关应用
功率效率是重要的。典型的应用是直流 - 直流
转换器，和在便携式电池电源管理
供电的产品，如计算机，打印机，蜂窝和
无绳电话。它们也可以用于低电压电动机
在大容量存储产品的控制，如磁盘驱动器和磁带
驱动器。被指定的雪崩能量，以消除
猜测在设计中感性负载切换和报价
G
额外的安全裕度对突发电压瞬变。
超低的RDS（on ） ，从而提高效率并延长电池寿命
逻辑电平栅极驱动器 - 可通过逻辑IC驱动
小型SO- 8表面贴装封装 - 节省电路板空间
二极管电桥电路的特点是使用
二极管具有高转速，软恢复
IDSS指定高温下
较高的雪崩能量
安装信息的SO- 8封装提供
最大额定值
（ TJ = 25 ° C除非另有说明） （ 1 ）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流 - 连续@ TA = 25°C
漏电流
- 连续@ TA = 100℃
漏电流
- 单脉冲（ TP
≤
10
s)
总功率耗散@ TA = 25 ° C（ 2 ）
减免上述25℃
工作和存储温度范围
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 开始TJ = 25°C
（ VDD = 20伏直流电， VGS = 10伏，峰值IL = 7.0 APK， L = 10毫亨， RG = 25
)
热阻，结到环境（ 2 ）
最大的铅焊接温度的目的， 0.0625 “从案例10秒
双TMOS MOSFET
2.5安培
25伏
RDS （ ON）= 0.250 OHM
D
CASE 751-05 ，风格11
SO–8
S
Source–1
Gate–1
Source–2
Gate–2
1
2
3
4
8
7
6
5
Drain–1
Drain–1
Drain–2
Drain–2
顶视图
符号
VDSS
VGS
ID
ID
IDM
PD
TJ ， TSTG
EAS
R
θJA
TL
价值
25
±
20
2.5
1.7
13
2.0
16
- 55 150
245
62.5
260
单位
VDC
VDC
ADC
APK
W
毫瓦/°C的
°C
mJ
° C / W
°C
器件标识
F2P02
（1）负号为P沟道器件为清楚起见省略。
（ 2 ）安装在2 “方FR4电路板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单面）与一个模操作， 10秒。最大。
订购信息
设备
MMDF2P02ER2
带尺寸
13″
胶带宽度
12毫米压纹带
QUANTITY
2500
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
设计师的， E- FET和MINIMOS是摩托罗拉公司的商标TMOS是Motorola，Inc.的注册商标。
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
第5版
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
摩托罗拉公司1996年
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