摩托罗拉
半导体技术资料
设计师
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通过MMDF2P02E / D
数据表
中功率表面贴装产品
TMOS的双P通道
场效应晶体管
MMDF2P02E
MINIMOS 设备是一种先进的系列功率MOSFET
它利用摩托罗拉的TMOS的过程。这些微型表面
安装MOSFET具有极低的RDS（on ）和真正的逻辑电平
性能。它们能够在经受高能量的
雪崩和换向模式和漏极 - 源极二极管
具有低的反向恢复时间。 MINIMOS装置被设计
在低电压，高速开关应用
功率效率是重要的。典型的应用是直流 - 直流
转换器，和在便携式电池电源管理
供电的产品，如计算机，打印机，蜂窝和
无绳电话。它们也可以用于低电压电动机
在大容量存储产品的控制，如磁盘驱动器和磁带
驱动器。被指定的雪崩能量，以消除
猜测在设计中感性负载切换和报价
G
额外的安全裕度对突发电压瞬变。
超低的RDS（on ） ，从而提高效率并延长电池寿命
逻辑电平栅极驱动器 - 可通过逻辑IC驱动
小型SO- 8表面贴装封装 - 节省电路板空间
二极管电桥电路的特点是使用
二极管具有高转速，软恢复
IDSS指定高温下
较高的雪崩能量
安装信息的SO- 8封装提供
最大额定值
（ TJ = 25 ° C除非另有说明） （ 1 ）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流 - 连续@ TA = 25°C
漏电流
- 连续@ TA = 100℃
漏电流
- 单脉冲（ TP
≤
10
s)
总功率耗散@ TA = 25 ° C（ 2 ）
减免上述25℃
工作和存储温度范围
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 开始TJ = 25°C
（ VDD = 20伏直流电， VGS = 10伏，峰值IL = 7.0 APK， L = 10毫亨， RG = 25
)
热阻，结到环境（ 2 ）
最大的铅焊接温度的目的， 0.0625 “从案例10秒
双TMOS MOSFET
2.5安培
25伏
RDS （ ON）= 0.250 OHM
D
CASE 751-05 ，风格11
SO–8
S
Source–1
Gate–1
Source–2
Gate–2
1
2
3
4
8
7
6
5
Drain–1
Drain–1
Drain–2
Drain–2
顶视图
符号
VDSS
VGS
ID
ID
IDM
PD
TJ ， TSTG
EAS
R
θJA
TL
价值
25
±
20
2.5
1.7
13
2.0
16
- 55 150
245
62.5
260
单位
VDC
VDC
ADC
APK
W
毫瓦/°C的
°C
mJ
° C / W
°C
器件标识
F2P02
（1）负号为P沟道器件为清楚起见省略。
（ 2 ）安装在2 “方FR4电路板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单面）与一个模操作， 10秒。最大。
订购信息
设备
MMDF2P02ER2
带尺寸
13″
胶带宽度
12毫米压纹带
QUANTITY
2500
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
设计师的， E- FET和MINIMOS是摩托罗拉公司的商标TMOS是Motorola，Inc.的注册商标。
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
第5版
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
摩托罗拉公司1996年
1
MMDF2P02E
电气特性
（ TA = 25 ° C除非另有说明） （ 1 ）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
（ VGS = 0伏， ID = 250
μAdc ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 20伏直流电， VGS = 0伏）
（ VDS = 20伏直流电， VGS = 0伏， TJ = 125°C ）
门体漏电流（ VGS =
±
20伏直流电， VDS = 0 ）
基本特征（ 2 ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 250
μAdc ）
温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻
（ VGS = 10 VDC ， ID = 2.0 ADC ）
（ VGS = 4.5伏， ID = 1.0 ADC ）
正向跨导（ VDS = 3.0伏， ID = 1.0 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性（ 3 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
（ VDS = 16伏， ID = 2.0 ADC ，
VGS = 10 V直流）
（ VDD = 10 VDC ， ID = 2.0 ADC ，
VGS = 10 VDC ，
RG = 6.0
)
（ VDD = 10 VDC ， ID = 2.0 ADC ，
VGS = 5.0伏，
RG = 6.0
)
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
Q1
Q2
Q3
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压（ 2 ）
（ IS = 2.0 ADC ， VGS = 0伏）
反向恢复时间
见图11
（ IS = 2.0 ADC ， VGS = 0伏，
DIS / DT = 100 A / μs）内
反向恢复电荷存储
（1）负号为P沟道器件为清楚起见省略。
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
（ 3 ）开关特性是独立的工作结温。
VSD
TRR
ta
tb
QRR
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20
40
53
41
13
29
30
28
10
1.0
3.5
3.0
40
80
106
82
26
58
60
56
15
—
—
—
nC
ns
（ VDS = 16伏， VGS = 0伏，
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
—
—
—
340
220
75
475
300
150
pF
VGS （ TH）
1.0
–
RDS （ ON）
—
—
政府飞行服务队
1.0
0.19
0.3
2.8
0.25
0.4
—
姆欧
2.0
3.8
3.0
–
欧姆
VDC
V（ BR ） DSS
25
—
IDSS
—
—
IGSS
—
—
—
—
1.0
10
100
NADC
—
2.2
—
—
VDC
毫伏/°C的
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
—
—
—
—
—
1.5
32
19
12
0.035
2.0
64
—
—
—
VDC
ns
C
2
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
MMDF2P02E
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是负责控制的。
各种开关间隔的长度（ΔT）是阻止 -
由如何快速FET输入电容可充电开采
由来自发电机的电流。
已发布的电容数据是难以用于calculat-
荷兰国际集团的兴衰，因为漏 - 栅电容变化
大大随施加电压。因此，栅极电荷数据
使用。在大多数情况下，令人满意的平均输入的估计
电流（IG （AV） ）可以从一个基本的分析来作出
的驱动电路，使得
T = Q / IG （ AV ）
在上升和下降时间间隔，当切换电阻
略去负载，V GS保持几乎恒定在已知为平
高原电压， VSGP 。因此，上升和下降时间可
来近似由下面的：
TR = Q2 X RG / （ VGG - VGSP ）
TF = Q2 X RG / VGSP
哪里
VGG =栅极驱动电压，其变化从零到VGG
RG =栅极驱动电阻
和Q2和VGSP从栅极电荷曲线读取。
1000
VDS = 0 V
西塞
VGS = 0 V
TJ = 25°C
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用适当val-
在一个标准方程用于从所述电容曲线的UE
电压的变化的RC网络。该方程为：
TD （ ON） = RG西塞在[ VGG / （ VGG - VGSP ）
TD （关闭） = RG西塞在（ VGG / VGSP ）
电容（西塞）从电容曲线上读出在
校准 - 当相应于关断状态的条件的电压
culating TD（上），并读出对应于所述的电压
导通状态时，计算TD（关闭）。
在高开关速度，寄生电路元件的COM
折扇的分析。 MOSFET的源极电感
铅，内包和在所述电路布线是
共用的漏极和栅极的电流路径，产生一个
电压在这减小了栅极驱动器的电流源。
该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的是一个函数
漏极电流的灰，其数学解决方案是复杂的。
MOSFET的输出电容也复杂化了
数学。最后， MOSFET的有限的内部栅极
电阻，这有效地增加了的电阻
驱动源，但内部电阻是困难来测量
确定，因此，没有被指定。
VGS ，栅极至源极电压（伏）
12
QT
9
VDS
6
Q1
Q2
VGS
12
16
VDS ，漏极至源极电压（伏）
800
C，电容（pF ）
600
8
400
CRSS
西塞
科斯
CRSS
200
0
10
3
Q3
4
ID = 2将
TJ = 25°C
2
4
6
8
QG ，总栅极电荷（ NC）
10
0
12
30
5
0
5
10
15
20
25
VGS
VDS
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
0
0
图7.电容变化
100
VDD = 10 V
ID = 2将
VGS = 10 V
TJ = 25°C
T， TIME （ NS ）
2
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
TJ = 25°C
VGS = 0 V
IS ，源电流（安培）
1.6
1.2
TD （关闭）
tr
tf
TD （上）
10
1
10
RG ，栅极电阻（欧姆）
100
0.8
0.4
0
0.6
0.8
1
1.2
1.4
VSD ，源 - 漏极电压（伏）
1.6
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
4
图10.二极管的正向电压
与当前
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
MMDF2P02E
的di / dt = 300 A / μs的
I S ，源电流
标准单元密度
TRR
高细胞密度
TRR
tb
ta
T，时间
图11.反向恢复时间（trr ）
安全工作区
正向偏置安全工作区曲线定义
的最大同时漏极 - 源极电压和
漏电流的晶体管可以处理安全时，它是换
病房偏颇。曲线是基于最大峰值junc-
化温度为25 ℃的情况下，温度（T ） 。高峰
重复脉冲功率极限通过使用所确定的
在与程序结合使用的热响应数据
在AN569讨论， “瞬态热阻 - Gen-
全部擦除数据和它的使用。 “
关断状态和导通状态之间的切换可以TRA-
诗句所提供的任何负载线既不是额定峰值电流（ IDM ）
也不额定电压（ VDSS ）的上限，并且该过渡
时间（ TR ， TF ）不超过10
s.
另外，总功率
平均超过一个完整的开关周期必须不超过
（ TJ（MAX） - TC） / （r
θJC
).
指定的E- FET功率MOSFET可以安全使用
与松开感性负载的开关电路。对于可靠性
能操作，所存储的能量从电感电路显示
sipated中的晶体管，而在雪崩必须小于
额定限制，并且必须调整操作条件
从这些规定不同。虽然行业的做法是
率在能源方面，雪崩能量功能是不是
常数。能量等级降低非线性地与
峰值电流的增加，雪崩和峰值结温
perature 。
虽然许多E-场效应管能承受漏极的压力
到源雪崩在电流高达额定脉冲电流
（ IDM ） ，能量等级在额定连续电流规定
租（ID ） ，按照行业惯例。能量额定
荷兰国际集团必须降低温度如图所示
所附的图中（图13） 。在电流最大的能量
低于额定连续编号的租金可以安全地假定
等于指定的值。
280
EAS ，单脉冲漏极 - 源
雪崩能量（兆焦耳）
我pk = 7的
240
200
160
120
80
40
0
100
25
50
75
100
125
150
100
I D ，漏极电流（ AMPS ）
VGS = 20 V
单脉冲
TC = 25°C
安装在2 “平方FR4电路板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “
厚单面）与一个模操作， 10S最大。
10
100
s
10毫秒
10
s
1
dc
0.1
RDS （ ON）限制
热限制
套餐限制
1
10
0.01
0.1
VDS ，漏极至源极电压（伏）
TJ ，起动结温（ ° C）
图12.最大额定正向偏置
安全工作区
图13.最大雪崩能量对比
开始结温
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
5
MMDF2P02E
功率MOSFET
2安培， 25伏
P沟道SO- 8 ，双
这些微型表面贴装MOSFET具有超低低R
DS （ ON）
和真逻辑电平的性能。他们是能承受的
高能量雪崩和减刑模式和
漏极 - 源极二极管具有低的反向恢复时间。 MiniMOSt
设备被用于低电压设计，高速开关
应用中的功率效率是重要的。典型应用
是直流 - 直流转换器，和在便携式电池电源管理
供电的产品，如计算机，打印机，蜂窝和无绳
手机。它们也可以被用于在质谱的低电压电机控制
存储产品，如磁盘驱动器和磁带驱动器。雪崩
被指定的能量，以消除在设计中的猜测
电感性负载的切换，并提供附加的安全余量针对
意外的电压瞬变。
特点
http://onsemi.com
2安培， 25伏
R
DS （ ON）
= 250毫瓦
P- CHANNEL
D
G
S
超低低R
DS （ ON）
提供更高的效率和延长电池寿命
逻辑电平栅极驱动器 - 可通过逻辑IC驱动
小型SO- 8表面贴装封装 - 节省电路板空间
二极管电桥电路的特点是使用
二极管具有高转速，软恢复
I
DSS
指定在高温下
较高的雪崩能量
安装信息的SO- 8封装提供
无铅包装是否可用
等级
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
价值
25
±
20
2.5
1.7
13
2.0
16
-55到150
245
单位
VDC
VDC
ADC
APK
W
毫瓦/°C的
°C
mJ
记号
图
8
8
1
SO - 8 ，双
CASE 751
风格11
1
F2P02 =具体设备守则
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
F2PO2
AYWW
G
G
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明） （注1 ）
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
漏电流
- 连续@ T
A
= 100°C
漏电流
- 单脉冲（T
p
≤
10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注
2)
减免上述25℃
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 20伏，V
GS
= 10伏，峰值
I
L
= 7.0 APK， L = 10 mH的，R
G
= 25
W)
热阻，结到环境
（注2 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 0.0625 “案件从10秒。
引脚分配
Source1
Gate1
Source2
Gate2
1
2
3
4
8
7
6
5
Drain1
Drain1
Drain2
Drain2
T
J
, T
英镑
E
AS
顶视图
° C / W
°C
R
qJA
T
L
62.5
260
订购信息
设备
MMDF2P02ER2
MMDF2P02ER2G
包
SO8
SO8
（无铅）
航运
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1，负号为P沟道器件省略清晰。
2.安装在2 “方FR4电路板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单面）与
1死运作，持续10秒。最大。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
MMDF2P02E/D
1
2006年4月 - 修订版8
MMDF2P02E
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（申）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
V
DS
= 0 V
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
VGS ，栅极至源极电压（伏）
1000
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
12
QT
9
V
DS
6
Q1
Q2
V
GS
16
800
C，电容（pF ）
12
600
8
400
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
200
0
10
3
Q3
4
I
D
= 2 A
T
J
= 25°C
2
4
6
8
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
10
0
12
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
25
30
0
0
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
http://onsemi.com
4
VDS ，漏极至源极电压（伏）
QQ：2881677436 复制
