STS6DNF30V
双N沟道30V - 0.026Ω - 6A SO- 8
2.5V -DRIVE的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STS6DNF30V
s
s
s
s
V
DSS
30 V
R
DS （ ON）
<0.030Ω （ @ 4.5V ）
<0.038Ω （ @ 2.5V ）
I
D
6A
典型
DS
（上） = 0.026Ω
(@4.5V)
典型
DS
（上） = 0.030Ω
(@2.5V)
超低门槛栅极驱动（ 2.5V ）
标准大纲EASY
自动化表面贴装
SO-8
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征尺寸
”
条形基础的过程。由此产生的晶体管显示
极高的堆积密度低的导通电阻
tance ，坚固耐用的雪崩特性和更少
因此，严格的对准步骤的显着MAN-
ufacturing重复性。
内部原理图
应用
s
电池安全单元游牧
设备
s
DC- DC转换器
s
在便携式电源管理/
台式电脑
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
单人操作
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
单人操作
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C双操作
总功耗在T
C
= 25°C单操作
价值
30
30
±12
6
3.8
24
2
1.6
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
I
DM
(
l
)
P
合计
(
q
）脉冲宽度有限的安全工作区
2002年7月
1/8
