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STS6DNF30V
双N沟道30V - 0.026Ω - 6A SO- 8
2.5V -DRIVE的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STS6DNF30V
s
s
s
s
V
DSS
30 V
R
DS （ ON）
<0.030Ω （ @ 4.5V ）
<0.038Ω （ @ 2.5V ）
I
D
6A
典型
DS
（上） = 0.026Ω
(@4.5V)
典型
DS
（上） = 0.030Ω
(@2.5V)
超低门槛栅极驱动（ 2.5V ）
标准大纲EASY
自动化表面贴装
SO-8
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征尺寸
”
条形基础的过程。由此产生的晶体管显示
极高的堆积密度低的导通电阻
tance ，坚固耐用的雪崩特性和更少
因此，严格的对准步骤的显着MAN-
ufacturing重复性。
内部原理图
应用
s
电池安全单元游牧
设备
s
DC- DC转换器
s
在便携式电源管理/
台式电脑
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
单人操作
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
单人操作
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C双操作
总功耗在T
C
= 25°C单操作
价值
30
30
±12
6
3.8
24
2
1.6
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
I
DM
(
l
)
P
合计
(
q
）脉冲宽度有限的安全工作区
2002年7月
1/8
STS6DNF30V
热数据
Rthj - AMB
T
j
T
英镑
热阻结到环境的最大单操作
热阻结到环境的最大双操作
马克斯。工作结温
储存温度
78
62.5
150
-65到150
° C / W
° C / W
°C
°C
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ±12V
分钟。
30
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
为ON（1 ）
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3 A
分钟。
0.6
0.026
0.030
0.030
0.038
典型值。
马克斯。
单位
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 3 A
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
15
800
180
32
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/8
STS6DNF30V
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 15 V，I
D
= 3 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 2.5V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 15 V，I
D
= 6 A,
V
GS
= 2.5 V
分钟。
典型值。
20
25
6.8
2
3.4
9.5
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 10 V，I
D
= 3 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 2.5 V
（见测试电路，图3 ）
分钟。
典型值。
32
13
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 6 A，V
GS
= 0
I
SD
= 6 A， di / dt的= 100A / μs的，
V
DD
= 15 V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
25
21
1.7
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
6
24
1.2
单位
A
A
V
ns
nC
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/8
STS6DNF30V
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/8
STS6DNF30V
归一化门Thereshold电压随温度。
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
5/8
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ST72334N4T7/XXX
SS110A
SDS1206TTEB331
SST29EE010-250-4I-P
SNJ55LBC172J
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    STS6DNF30V
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STS6DNF30V
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