2N4400 / MMBT4400
NPN通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
BL
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 100
A,
I
E
= 0
I
E
= 100
A,
I
C
= 0
V
CE
= 35 V, V
EB
= 0.4 V
V
CE
= 35 V, V
EB
= 0.4 V
40
60
6.0
0.1
0.1
V
V
V
A
A
基本特征*
h
FE
直流电流增益
V
CE
= 1.0 V，I
C
= 1.0毫安
V
CE
= 1.0 V，I
C
= 10毫安
V
CE
= 1.0 V，I
C
= 150毫安
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 500毫安
I
C
= 150毫安，我
B
?? 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安，我
B
?? 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
20
40
50
20
150
0.40
0.75
0.95
1.2
V
V
V
V
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
0.75
小信号特性
C
ob
C
ib
h
fe
h
fe
h
ie
h
re
h
oe
输出电容
输入电容
小信号电流增益
小信号电流增益
输入阻抗
电压反馈比例
输出导纳
V
CB
= 5.0 V ， F = 140千赫
V
EB
= 0.5 V ， F = 140千赫
I
C
能力= 20 mA ，V
CE
= 10 V,
F = 100 MHz的
V
CE
= 10 V，I
C
= 1.0毫安，
F = 1.0千赫
2.0
20
0.5
0.1
1.0
250
7.5
8.0
30
K
x 10
μmhos
-4
6.5
30
pF
pF
开关特性
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CC
= 30 V，I
C
= 150毫安，
I
B1
= 15毫安， V
BE （关闭）
= 0.0 V
V
CC
= 30 V，I
C
= 150毫安
I
B1
= I
B2
= 15毫安
15
20
225
30
ns
ns
ns
ns
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
