小信号晶体管
TO- 92 CASE
型号
描述
领导
CODE
VCBO
(V)
民
18
18
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
50
50
40
50
50
50
40
30
30
30
30
30
60
30
60
60
40
40
30
40
30
30
25
30
45
60
60
VCEO VEBO
(V)
* VCES
民
18
18
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
50
50
25
30
30
30
20
30
30
30
30
30
60
30
40
40
40
40
30
30
25
30
25
15
45
45
40
(V)
最大
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
4.0
6.0
6.0
5.0
5.0
6.0
5.0
5.0
4.0
4.0
6.0
7.0
7.0
6.0
ICBO @ VCB
（ nA的）
* ICES
* ICEV
最大
500
100
100
100
100
500
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50*
50*
50*
50*
100
50
50
50
50
10
10
100*
(V)
的hFE
*的hFE
(1kHZ)
最大
250
250
180*
300*
470*
470*
500
300
180
500
500
500
800
540
225
540
300
150
300
150
600
400
660
165
330
660
200
300
150
300
150
300
400
150
360
150
360
160
600
600
150
@ @ VCE IC
(V)
（MA ）
VCE （ SAT ） @ IC玉米棒
(V)
（MA ）
fT
NF
花花公子
2N2712
2N2714
2N2923
2N2924
2N2925
2N2926
2N3391A
2N3392
2N3393
2N3395
2N3396
2N3397
2N3398
2N3415
2N3416
2N3417
2N3702
2N3703
2N3704
2N3705
2N3706
2N3707
2N3708
2N3709
2N3710
2N3711
2N3859A
2N3860
2N3903
2N3904
2N3905
2N3906
2N4058
2N4123
2N4124
2N4125
2N4126
2N4264
2N4287
2N4289
2N4400
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN低噪声
NPN低噪声
NPN低噪声
NPN低噪声
NPN低噪声
NPN低噪声
NPN低噪声
NPN低噪声
NPN低噪声
NPN低噪声
NPN低噪声
NPN低噪声
NPN低噪声
NPN低噪声
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN低噪声
NPN低噪声
NPN低噪声
NPN低噪声
NPN低噪声
NPN低噪声
NPN低噪声
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PN幅度/ SWITCH
PNP低噪声
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN SAT SWITCH
NPN低噪声
PNP低噪声
NPN幅度/ SWITCH
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
EBC
EBC
EBC
EBC
欧洲央行
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
欧洲央行
欧洲央行
EBC
18
18
25
25
25
18
25
25
25
25
25
25
25
25
25
50
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
60
30
30
30
30
30
20
20
20
20
20
12
30
45
35
民
75
75
90
150
235
35
250
150
90
150
90
55
55
180
75
180
60
30
100
50
30
100
45
45
90
180
100
150
50
100
50
100
100
50
120
50
120
40
150
150
50
--
0.30
--
--
--
--
4.50
4.50
4.50
4.50
4.50
4.50
4.50
4.50
4.50
4.50
5.0
5.0
2.0
2.0
2.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
4.50
4.50
1.0
1.0
1.0
1.0
5.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
5.0
0.35
1.0
--
50
--
--
--
--
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
0.05
0.05
50
50
50
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
10
10
10
10
0.10
2.0
2.0
2.0
2.0
10
1.0
1.0
150
--
1.20
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.30
0.30
0.30
0.25
0.25
0.60
0.80
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.125
0.125
0.30
0.30
0.40
0.40
0.70
0.30
0.30
0.40
0.40
0.35
0.35
0.80
0.75
--
50
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
50
50
50
50
50
100
100
100
10
10
10
10
10
10
10
50
50
50
50
10
50
50
50
50
100
1.0
1.0
500
（ pF）的（兆赫） （ dB）的
* CRB * TYP
MAX MIN MAX MAX
12
2.8
--
--
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
--
--
--
12
12
12
12
12
--
--
--
--
--
4.0
4.0
4.0
4.0
4.5
4.5
--
4.0
4.0
4.5
4.5
4.0
6.0
8.0
6.5
--
160*
160*
160*
120*
120*
120*
120*
--
--
--
--
--
--
--
100
100
100
100
100
--
--
--
--
--
--
90
250
300
200
250
--
250
300
200
250
350
40
40
200
--
--
--
2.8
2.8
5.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
--
6.0
5.0
5.0
4.0
5.0
6.0
5.0
5.0
4.0
--
5.0
4.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
225
250
260
300
--
--
--
--
--
35
--
--
255
72
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
器件可形成领先优势，
有关详细信息，请参阅第216页通219 。
此外，在Ammopack或磁带&卷可用，
有关详细信息，请参阅第230页通235 。
2N4400, 2N4401
NPN
版本2004-01-20
通用晶体管
硅外延PlanarTransistors
NPN
功耗 - Verlustleistung
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准钢钉
1 = C 2 = B 3 = E
625毫瓦
TO-92
(10D3)
0.18 g
标准包装录音中的弹药盒
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
最大额定值（T
A
= 25°C)
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
结温。 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
CE0
V
CE0
V
EB0
P
合计
I
C
T
j
T
S
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
2N4400, 2N4401
40 V
60 V
6V
625毫瓦
1
)
600毫安
150°C
- 55…+ 150°C
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspannung
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
集电极截止电流 - Kollektorreststrom
V
CE
= 35 V, V
EB
= 0.4 V
发射极截止电流 - Emitterreststrom
V
CE
= 35 V, V
EB
= 0.4 V
I
EBV
–
I
CBV
–
V
CESAT
V
CESAT
V
BESAT
V
BESAT
–
–
750毫伏
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
–
–
–
–
–
–
马克斯。
400毫伏
750毫伏
950毫伏
1.2 V
100 nA的
100 nA的
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
1
）有效，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为2毫米
Gültig ，德恩死Anschludrhte在2毫米Abstand冯Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
34
通用晶体管
2N4400, 2N4401
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
V
CE
= 1 V，I
C
- 0.1毫安
V
CE
= 1 V，I
C
= 1毫安
V
CE
= 1 V，I
C
= 10毫安
V
CE
= 1 V，I
C
= 150毫安
V
CE
= 1 V，I
C
= 500毫安
2N4401
2N4400
2N4401
2N4400
2N4401
2N4400
2N4401
2N4400
2N4401
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
20
20
40
40
80
50
100
20
40
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
马克斯。
–
–
–
–
–
150
300
–
–
H-参数在V
CE
= 10 V，I
C
= 1毫安中，f = 1千赫
小信号电流增益
Kleinsignal - Stromverstrkung
输入阻抗 - Eingangs - Impedanz
输出导纳 - Ausgangs - Leitwert
反向电压比 - Spannungsrückwirkg 。
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 10 V，I
C
= 20毫安，
F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
V
EB
= 2 V，I
C
= i
c
= 0中，f = 1 MHz的
切换时间 - Schaltzeiten
开启时间
延迟时间
上升时间
打开-O FF时间
贮存时间
下降时间
t
on
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
–
–
–
–
–
–
R
THA
35纳秒
15纳秒
20纳秒
255纳秒
225纳秒
30纳秒
200多K / W
1
)
2N4402, 2N4403
2N4400
2N4401
f
T
f
T
C
CB0
C
EB0
200兆赫
250兆赫
–
–
–
–
6.5 pF的
30 pF的
h
fe
h
ie
h
oe
h
re
40
1 k
S
1 S
0.1 *10
-4
500
15 k
S
30 S
8 *10
-4
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt
I
CON
= 150毫安
I
BON
= 15毫安
- I
B关
= 15毫安
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementre PNP - Transistoren
1
）有效，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为2毫米
Gültig ，德恩死Anschludrhte在2毫米Abstand冯Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
35
2N4400 / MMBT4400
分立功率&信号
技术
2N4400
MMBT4400
C
E
C
BE
TO-92
SOT-23
马克： 83
B
NPN通用放大器
该器件是专为使用一般通用放大器
和交换机要求集电极电流为500毫安。来源
从工艺19.见PN2222A的特点。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
40
60
6.0
1.0
-55到+150
单位
V
V
V
A
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θ
JC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2N4400
625
5.0
83.3
200
最大
*MMBT4400
350
2.8
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
1997仙童半导体公司
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过2N4400 / D
通用晶体管
NPN硅
2N4400
2N4401*
*摩托罗拉的首选设备
集热器
3
2
BASE
1
辐射源
1
2
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
价值
40
60
6.0
600
625
5.0
1.5
12
- 55 + 150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
CASE 29-04 ，风格1
TO-92 （TO- 226AA ）
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（IC = 0.1 MADC ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 0.1 MADC ， IC = 0）
基地截止电流
（ VCE = 35 VDC ， VEB = 0.4伏）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 35 VDC ， VEB = 0.4伏）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
m
S，占空比
≤
2.0%.
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
IBEV
ICEX
40
60
6.0
—
—
—
—
—
0.1
0.1
VDC
VDC
VDC
μAdc
μAdc
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
2N4400 2N4401
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征（ 1 ）
直流电流增益
（ IC = 0.1 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
的hFE
2N4401
2N4400
2N4401
2N4400
2N4401
2N4400
2N4401
2N4400
2N4401
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
20
20
40
40
80
50
100
20
40
—
—
0.75
—
—
—
—
—
—
150
300
—
—
0.4
0.75
0.95
1.2
VDC
VDC
—
（ IC = 10 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = 150 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = 500 MADC ， VCE = 2.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 150 MADC ， IB = 15 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 500 MADC ， IB = 50 MADC ）
基地 - 发射极饱和电压（ IC = 150 MADC ， IB = 15 MADC ）
基地 - 发射极饱和电压
（ IC = 500 MADC ， IB = 50 MADC ）
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积
（ IC = 20 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 100兆赫）
集电极 - 基极电容（ VCB = 5.0伏， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
发射极 - 基极电容（ VEB = 0.5伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入阻抗
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
电压反馈比例（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
小信号电流增益
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
输出导纳（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
2N4400
2N4401
HOE
2N4400
2N4401
HRE
的hFE
20
40
1.0
250
500
30
μmhos
fT
2N4400
2N4401
建行
CEB
缺氧缺血性脑病
0.5
1.0
0.1
7.5
15
8.0
X 10–4
—
200
250
—
—
—
—
6.5
30
pF
pF
千欧
兆赫
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
（ VCC = 30 V直流， VBE = 2.0伏，
IC = 150 MADC ， IB1 = 15 MADC ）
（ VCC = 30 V直流， IC = 150 MADC ，
IB1 = IB2 = 15 MADC ）
td
tr
ts
tf
—
—
—
—
15
20
225
30
ns
ns
ns
ns
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
m
S，占空比
≤
2.0%.
切换时间等效测试电路
+ 30 V
+16 V
0
– 2.0 V
1.0-100
s,
占空比
≈
2.0%
1.0 k
＆ LT ; 2.0纳秒
200
+16 V
0
CS * < 10 pF的
–14 V
< 20纳秒
1.0 k
CS * < 10 pF的
1.0-100
s,
占空比
≈
2.0%
+ 30 V
200
– 4.0 V
范围上升时间< 4.0纳秒
*测试夹具的连接器共有并联电容和示波器
图1.开启时间
图2.开启，关闭时间
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
2N4400 2N4401
小信号特性
噪声系数
VCE = 10 VDC ， TA = 25°C
带宽= 1.0赫兹
10
IC = 1.0 mA时， RS = 150
IC = 500
A,
RS = 200
IC = 100
A,
RS = 2.0千欧
IC = 50
A,
RS = 4.0千欧
RS =优化
RS =
来源
RS =
阻力
10
F = 1.0千赫
8.0
NF ，噪声系数（dB ）
IC = 50
A
IC = 100
A
IC = 500
A
IC = 1.0毫安
8.0
NF ，噪声系数（dB ）
6.0
6.0
4.0
4.0
2.0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
2.0
0
0.5 1.0 2.0 5.0
10
20
50
100
50
100 200
500 1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k 20 k
50 k 100 k
RS ，源电阻（欧姆）
男，频率（KHz ）
图9.频率的影响
图10.源电阻的影响
h参数值
VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫， TA = 25℃
同时从2N4400和2N4401线，并且所选择的
这组图形示出的关系
同一单位被用于开发相应num-
HFE等“ H”参数，这个系列的晶体管。对
巴列曲线，每个曲线图上。
获得这些曲线，高增益和低增益单元分别
300
缺氧缺血性脑病，输入阻抗（欧姆）
200
hFE参数，电流增益
50 k
2N4401 UNIT 1
2N4401 UNIT 2
2N4400 UNIT 1
2N4400 UNIT 2
20 k
10 k
5.0 k
100
70
50
30
20
0.1
2N4401 UNIT 1
2N4401 UNIT 2
2N4400 UNIT 1
2N4400 UNIT 2
2.0 k
1.0 k
500
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图11.电流增益
10
重，电压反馈比例（ X 10
–4
)
锄头，输出导纳（
m
姆欧）
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
100
50
图12.输入阻抗
2N4401 UNIT 1
2N4401 UNIT 2
2N4400 UNIT 1
2N4400 UNIT 2
20
10
5.0
2.0
1.0
0.1
2N4401 UNIT 1
2N4401 UNIT 2
2N4400 UNIT 1
2N4400 UNIT 2
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图13.电压反馈比例
4
图14.输出导纳
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
大陆设备印度有限公司
在ISO / TS16949和ISO 9001认证的公司
TO- 92塑料包装
2N4400, 2N4401
2N4402, 2N4403
2N4400 ， 4401 NPN硅平面外延晶体管
2N4402 ， 4403 PNP硅平面外延晶体管
通用开关应用
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
K
L
民
4,32
4,45
3,18
0,41
0,35
5度
1,14
1,14
12,70
1.982
最大
5,33
5,20
4,19
0,55
0,50
1,40
1,53
–
2.082
C
EB
在M.M.所有尺寸
1 2 3
1 - 发射极
2 - 基
3 - 集电极
绝对MAXIMM评级
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
功率消耗在TA = 25 C
减免上述25℃
功耗在Tc = 25 C
减免上述25℃
操作&存储
结温范围
热阻
结到外壳
R
日（J -C ）
-
83.3
-
摄氏度/ W
摄氏度/ W
结到环境
R
号（j -a）的
-
200
-
电气特性
（ TA = 25 ° C除非另有说明）
T
j
,T
英镑
P
D
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
2N4400/01
40
60
6
-
-
-
-
-
600
625
5.0
1.5
12
-55到+150
2N4402/03
40
40
5
-
-
-
-
-
V
V
V
mA
mW
毫瓦/℃
W
毫瓦/℃
C
单位
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页6
2N4400, 2N4401
2N4402, 2N4403
特征
集电极 - 发射极电压
I
C
= 1mA时，我
B
=0
集电极 - 基极电压
I
C
= 100μA ，我
E
=0
发射极电压
I
E
= 100μA ，我
C
=0
基地截止电流
V
CE
=35V, V
BE
=0.4V
收藏家Cuto FF电流
V
CE
=35V, V
BE
=0.4V
集电极 - 发射极
饱和电压
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
基射
饱和电压
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
=500mA,I
B
=50mA
特征
D C电流增益
I
C
=0.1mA,V
CE
=1V
I
C
=1mA,V
CE
=1V
I
C
=10mA,V
CE
=1V
I
C
=150mA,V
CE
=1V*
I
C
=150mA,V
CE
=2V*
I
C
=500mA,V
CE
=2V*
符号
BV
首席执行官
*
BV
CBO
BV
EBO
I
BEV
I
CEX
2N4400/01
>40
>60
>6
<0.1
<0.1
2N4402/03
>40
>40
>5
<0.1
<0.1
单位
V
V
V
A
A
V
CE （SAT）
*
<0.4
<0.75
<0.4
<0.75
V
V
V
BE （SAT）
*
0.75 0.95
<1.2
0.75 0.95
<1.3
V
V
单位
符号
h
FE
2N4400 2N4401 2N4402 2N4403
-
>20
>20
>40
>40
>80
50-150 100-300
-
-
>20
>40
-
>30
>30
>60
>50
>100
-
-
50-150 100-300
>20
>20
动态特性
小信号电流增益
I
C
= 1mA时， V
CE
= 10V ， F = 1KHz的
fe
输入阻抗
I
C
= 1mA时， V
CE
= 10V ， F = 1KHz的
ie
20-250
0.5-7.5
40-500
1.0-15
30-250
0.75-7.5
60-500
1.5-15
K
大陆设备印度有限公司
数据表
第2 6
2N4400, 2N4401
2N4402, 2N4403
特征
符号
2N4400 2N4401 2N4402 2N4403
0.1-8.0
单位
x10
–4
电压反馈比例
h
re
所有
I
C
= 1mA时， V
CE
= 10V ， F = 1KHz的
输出导纳
I
C
= 1mA时， V
CE
= 10V ， F = 1KHz的
oe
集电极 - 基极电容
V
CB
= 5V ，我
E
= 0中，f = 100KHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 140KHz
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5V ，我
C
= 0中，f = 100KHz的
V
EB
= 0.5V ，我
C
= 0中，f = 140KHz
跃迁频率
I
C
= 20mA时， V
CE
=10V
f=100MHz
1.0-30
1.0-30
1.0-100 1.0-100
C
cb
<6.5
-
<6.5
-
-
<8.5
-
<8.5
pF
pF
C
eb
<30
-
<30
-
-
<30
-
<30
pF
pF
f
T
>200
>250
>150
>200
兆赫
开关特性
V
CC
=30V, V
EB
=2V,
I
C
= 150毫安，我
B1
=15mA
延迟时间
上升时间
V
CC
= 30V ，我
C
=150mA,
I
B1
=I
B2
=15mA
贮存时间
下降时间
t
d
所有
t
r
所有
<15
<20
ns
ns
t
s
所有
t
f
所有
<225
<30
ns
ns
* PLUSE测试：时脉宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%.
大陆设备印度有限公司
数据表
第3页6
小信号一般
通用晶体管（ NPN ）
2N4400/2N4401
小信号通用晶体管（ NPN ）
特点
NPN硅外延晶体管开关和
扩增fi er应用
机械数据
案例：
终端：
重量：
TO- 92 ，塑料包装
每MIL -STD- 202G ，方法208
0.18克
TO-92
最大额定值
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
标识代码
描述
2N4400
2N4400
40
60
6.0
600
625
5.0
1.5
12
200
83.3
-55到+150
2N4401
2N4401
V
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
单位
条件
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
P
D
R
θJA
R
θJC
T
J
,T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
在T功耗
A
=25°C
减免上述25℃
在T功耗
C
=25°C
减免上述25℃
热阻结到环境空气
热阻结到外壳
操作和存储结温
范围
TAITRON零部件股份有限公司
www.taitroncomponents.com
联系电话： （ 800 ） -TAITRON
传真： （ 800 ） -TAITFA
(800)-824-8766
(800)-824-8329
(661)-257-6060
(661)-257-6415
版本A / AH 2008-03-05
第1页4
小信号通用晶体管（ NPN ）
2N4400/2N4401
电气特性
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
2N4400
符号
描述
分钟。
马克斯。
-
-
-
0.40
0.75
0.95
1.20
100
100
-
-
-
150
-
7.5
8.0
-
6.5
30
250
30
15
20
225
30
分钟。
60
40
6.0
-
-
0.75
-
-
-
20
40
80
100
40
1.0
0.1
250
-
-
40
1.0
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
0.40
0.75
0.95
1.20
100
100
-
-
-
300
-
15
8.0
-
6.5
30
500
30
15
20
225
30
μS
nS
nS
nS
nS
k
x10
4
2N4401
单位
条件
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
= 100μA ，我
C
=0
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
V
EB
=0.4V, V
CE
=35V
V
EB
=0.4V, V
CE
=35V
V
CE
= 1V ，我
C
=0.1mA
V
CE
= 1V ，我
C
=1mA
V
CE
= 1V ，我
C
=10mA
V
CE
= 1V ，我
C
=150mA
V
CE
= 2V ，我
C
=500mA
V
CE
= 10V ，我
C
=1mA
f=1KHz,
V
CE
= 10V ，我
C
=1mA
f=1KHz,
V
CE
= 10V ，我
C
=20mA,
f=100MHz
V
CB
= 5V ，我
E
=0
f=100KHz,
V
EB
= 0.5V ，我
C
=0
f=100KHz,
V
CE
= 10V ，我
C
=1mA
f=1KHz,
V
CE
= 10V ，我
C
=1mA
f=1KHz,
V
CC
=30V, V
EB
=2V
I
C
= 150毫安，我
B1
=15mA
V
CC
= 30V ，我
C
=150mA
I
B1
=I
B2=
15mA
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO *
V
（ BR ） EBO
V
CE （SAT） *
V
BE （SAT） *
I
CEV
I
BEV
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
60
40
6.0
-
-
0.75
-
-
-
-
20
V
V
V
V
基极发射极饱和电压
集电极截止电流
基截止电流
V
nA
nA
h
FE *
直流电流增益
40
50
20
h
ie
h
re
f
T
C
CBO
C
EBO
h
fe
h
oe
t
d
t
r
t
s
t
f
*
脉冲
输入阻抗
电压反馈比例
电流增益带宽积
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
小信号电流增益
输出导纳
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
0.5
0.1
200
-
-
20
1.0
-
-
-
-
兆赫
pF
pF
测试：脉冲Width<300μs ，职务Cycle<2 ％
版本A / AH 2008-03-05
www.taitroncomponents.com
第2页4
小信号通用晶体管（ NPN ）
2N4400/2N4401
标识信息：
2N4400
2N4401
尺寸（mm）
TO-92
版本A / AH 2008-03-05
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第3页4
小信号通用晶体管（ NPN ）
2N4400/2N4401
如何联系我们：
美国总部
28040西哈里森PARKWAY ，瓦伦西亚，CA 91355-4162
联系电话： （ 800 ） TAITRON （ 800 ） 247-2232 （ 661 ） 257-6060
传真： （ 800 ） TAITFAX （ 800 ） 824-8329 （ 661 ） 257-6415
电子邮件：
taitron@taitroncomponents.com
Http://www.taitroncomponents.com
TAITRON组件墨西哥， S.A .DE C.V。
中央大道5000室内5 PARQUE工业ATITALAQUIA ，伊达尔戈CP
42970 MEXICO
电话： + 52-55-5560-1519
传真： + 52-55-5560-2190
TAITRON组件INCORPORATED REPRESENTAES DO BRASIL LTDA
RUA DOMINGOS DE MORAIS ， 2777 ， 2.ANDAR ， SALA 24 SADE - 圣保罗 - SP 04035-001 BRAZIL
电话： + 55-11-5574-7949
传真： + 55-11-5572-0052
TAITRON组件INCORPORATED上海代表处
首都银行大厦1160西延安路， SUITE 1503 ，上海， 200052 ，中国
电话： + 86-21-5424-9942
传真： + 86-21-5424-9931
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第4页4
小信号一般
通用晶体管（ NPN ）
2N4400/2N4401
小信号通用晶体管（ NPN ）
特点
NPN硅外延晶体管开关和
扩增fi er应用
机械数据
案例：
终端：
重量：
TO- 92 ，塑料包装
每MIL -STD- 202G ，方法208
0.18克
TO-92
最大额定值
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
标识代码
描述
2N4400
2N4400
40
60
6.0
600
625
5.0
1.5
12
200
83.3
-55到+150
2N4401
2N4401
V
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
单位
条件
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
P
D
R
θJA
R
θJC
T
J
,T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
在T功耗
A
=25°C
减免上述25℃
在T功耗
C
=25°C
减免上述25℃
热阻结到环境空气
热阻结到外壳
操作和存储结温
范围
TAITRON零部件股份有限公司
www.taitroncomponents.com
联系电话： （ 800 ） -TAITRON
传真： （ 800 ） -TAITFA
(800)-824-8766
(800)-824-8329
(661)-257-6060
(661)-257-6415
版本A / AH 2008-03-05
第1页4
小信号通用晶体管（ NPN ）
2N4400/2N4401
电气特性
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
2N4400
符号
描述
分钟。
马克斯。
-
-
-
0.40
0.75
0.95
1.20
100
100
-
-
-
150
-
7.5
8.0
-
6.5
30
250
30
15
20
225
30
分钟。
60
40
6.0
-
-
0.75
-
-
-
20
40
80
100
40
1.0
0.1
250
-
-
40
1.0
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
0.40
0.75
0.95
1.20
100
100
-
-
-
300
-
15
8.0
-
6.5
30
500
30
15
20
225
30
μS
nS
nS
nS
nS
k
x10
4
2N4401
单位
条件
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
= 100μA ，我
C
=0
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
V
EB
=0.4V, V
CE
=35V
V
EB
=0.4V, V
CE
=35V
V
CE
= 1V ，我
C
=0.1mA
V
CE
= 1V ，我
C
=1mA
V
CE
= 1V ，我
C
=10mA
V
CE
= 1V ，我
C
=150mA
V
CE
= 2V ，我
C
=500mA
V
CE
= 10V ，我
C
=1mA
f=1KHz,
V
CE
= 10V ，我
C
=1mA
f=1KHz,
V
CE
= 10V ，我
C
=20mA,
f=100MHz
V
CB
= 5V ，我
E
=0
f=100KHz,
V
EB
= 0.5V ，我
C
=0
f=100KHz,
V
CE
= 10V ，我
C
=1mA
f=1KHz,
V
CE
= 10V ，我
C
=1mA
f=1KHz,
V
CC
=30V, V
EB
=2V
I
C
= 150毫安，我
B1
=15mA
V
CC
= 30V ，我
C
=150mA
I
B1
=I
B2=
15mA
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO *
V
（ BR ） EBO
V
CE （SAT） *
V
BE （SAT） *
I
CEV
I
BEV
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
60
40
6.0
-
-
0.75
-
-
-
-
20
V
V
V
V
基极发射极饱和电压
集电极截止电流
基截止电流
V
nA
nA
h
FE *
直流电流增益
40
50
20
h
ie
h
re
f
T
C
CBO
C
EBO
h
fe
h
oe
t
d
t
r
t
s
t
f
*
脉冲
输入阻抗
电压反馈比例
电流增益带宽积
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
小信号电流增益
输出导纳
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
0.5
0.1
200
-
-
20
1.0
-
-
-
-
兆赫
pF
pF
测试：脉冲Width<300μs ，职务Cycle<2 ％
版本A / AH 2008-03-05
www.taitroncomponents.com
第2页4
小信号通用晶体管（ NPN ）
2N4400/2N4401
标识信息：
2N4400
2N4401
尺寸（mm）
TO-92
版本A / AH 2008-03-05
www.taitroncomponents.com
第3页4
小信号通用晶体管（ NPN ）
2N4400/2N4401
如何联系我们：
美国总部
28040西哈里森PARKWAY ，瓦伦西亚，CA 91355-4162
联系电话： （ 800 ） TAITRON （ 800 ） 247-2232 （ 661 ） 257-6060
传真： （ 800 ） TAITFAX （ 800 ） 824-8329 （ 661 ） 257-6415
电子邮件：
taitron@taitroncomponents.com
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TAITRON组件墨西哥， S.A .DE C.V。
中央大道5000室内5 PARQUE工业ATITALAQUIA ，伊达尔戈CP
42970 MEXICO
电话： + 52-55-5560-1519
传真： + 52-55-5560-2190
TAITRON组件INCORPORATED REPRESENTAES DO BRASIL LTDA
RUA DOMINGOS DE MORAIS ， 2777 ， 2.ANDAR ， SALA 24 SADE - 圣保罗 - SP 04035-001 BRAZIL
电话： + 55-11-5574-7949
传真： + 55-11-5572-0052
TAITRON组件INCORPORATED上海代表处
首都银行大厦1160西延安路， SUITE 1503 ，上海， 200052 ，中国
电话： + 86-21-5424-9942
传真： + 86-21-5424-9931
版本A / AH 2008-03-05
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第4页4
小信号一般
通用晶体管（ NPN ）
2N4400/2N4401
小信号通用晶体管（ NPN ）
特点
NPN硅外延晶体管开关和
扩增fi er应用
机械数据
案例：
终端：
重量：
TO- 92 ，塑料包装
每MIL -STD- 202G ，方法208
0.18克
TO-92
最大额定值
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
标识代码
描述
2N4400
2N4400
40
60
6.0
600
625
5.0
1.5
12
200
83.3
-55到+150
2N4401
2N4401
V
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
单位
条件
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
P
D
R
θJA
R
θJC
T
J
,T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
在T功耗
A
=25°C
减免上述25℃
在T功耗
C
=25°C
减免上述25℃
热阻结到环境空气
热阻结到外壳
操作和存储结温
范围
TAITRON零部件股份有限公司
www.taitroncomponents.com
联系电话： （ 800 ） -TAITRON
传真： （ 800 ） -TAITFA
(800)-824-8766
(800)-824-8329
(661)-257-6060
(661)-257-6415
版本A / AH 2008-03-05
第1页4
小信号通用晶体管（ NPN ）
2N4400/2N4401
电气特性
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
2N4400
符号
描述
分钟。
马克斯。
-
-
-
0.40
0.75
0.95
1.20
100
100
-
-
-
150
-
7.5
8.0
-
6.5
30
250
30
15
20
225
30
分钟。
60
40
6.0
-
-
0.75
-
-
-
20
40
80
100
40
1.0
0.1
250
-
-
40
1.0
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
0.40
0.75
0.95
1.20
100
100
-
-
-
300
-
15
8.0
-
6.5
30
500
30
15
20
225
30
μS
nS
nS
nS
nS
k
x10
4
2N4401
单位
条件
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
= 100μA ，我
C
=0
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
V
EB
=0.4V, V
CE
=35V
V
EB
=0.4V, V
CE
=35V
V
CE
= 1V ，我
C
=0.1mA
V
CE
= 1V ，我
C
=1mA
V
CE
= 1V ，我
C
=10mA
V
CE
= 1V ，我
C
=150mA
V
CE
= 2V ，我
C
=500mA
V
CE
= 10V ，我
C
=1mA
f=1KHz,
V
CE
= 10V ，我
C
=1mA
f=1KHz,
V
CE
= 10V ，我
C
=20mA,
f=100MHz
V
CB
= 5V ，我
E
=0
f=100KHz,
V
EB
= 0.5V ，我
C
=0
f=100KHz,
V
CE
= 10V ，我
C
=1mA
f=1KHz,
V
CE
= 10V ，我
C
=1mA
f=1KHz,
V
CC
=30V, V
EB
=2V
I
C
= 150毫安，我
B1
=15mA
V
CC
= 30V ，我
C
=150mA
I
B1
=I
B2=
15mA
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO *
V
（ BR ） EBO
V
CE （SAT） *
V
BE （SAT） *
I
CEV
I
BEV
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
60
40
6.0
-
-
0.75
-
-
-
-
20
V
V
V
V
基极发射极饱和电压
集电极截止电流
基截止电流
V
nA
nA
h
FE *
直流电流增益
40
50
20
h
ie
h
re
f
T
C
CBO
C
EBO
h
fe
h
oe
t
d
t
r
t
s
t
f
*
脉冲
输入阻抗
电压反馈比例
电流增益带宽积
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
小信号电流增益
输出导纳
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
0.5
0.1
200
-
-
20
1.0
-
-
-
-
兆赫
pF
pF
测试：脉冲Width<300μs ，职务Cycle<2 ％
版本A / AH 2008-03-05
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小信号通用晶体管（ NPN ）
2N4400/2N4401
标识信息：
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2N4401
尺寸（mm）
TO-92
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2N4400/2N4401
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美国总部
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联系电话： （ 800 ） TAITRON （ 800 ） 247-2232 （ 661 ） 257-6060
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42970 MEXICO
电话： + 52-55-5560-1519
传真： + 52-55-5560-2190
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传真： + 55-11-5572-0052
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电话： + 86-21-5424-9942
传真： + 86-21-5424-9931
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