DBES105a

倒装芯片双二极管

砷化镓二极管

描述

该DBES105a是基于双肖特基二极管

上一个低成本1μm的步进过程包括一个

凹凸科技。寄生电感是

降低，导致非常高的操作

频率。

此倒装芯片双二极管已被设计为

高性能混频器的应用程序。

主要特点

■

高截止频率： 3THz

■

高击穿电压： < -5V

@ 20A

■

良好的理想因子： 1.2

■

低寄生电感

■

低成本技术

■

尺寸： 0.53 X 0.23 X 0.1毫米

主要特点

TAMB 。 = 25°C

符号

Wu

FCO

n

BVak

门宽

截止频率

理想因子

阳极 - 阴极击穿电压

参数

典型值

5

3

1.2

< -5

单位

m

太赫兹

V

ESD保护：静电放电敏感器件。观察处理注意事项！

参考文献。 ： DSDBES1051067 -08 -MAR -01

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