DBES105a
符合RoHS
倒装芯片双二极管
砷化镓二极管
描述
该DBES105a是基于双肖特基二极管
上一个低成本1μm的步进过程包括一个
凹凸科技。寄生电感
降低，导致非常高的操作
频率。
此倒装芯片双二极管已被设计为
高性能混频器的应用程序。
主要特点
■
高截止频率： 3THz
■
高击穿电压： < -5V
@ 20A
■
良好的理想因子： 1.2
■
低寄生电感
■
低成本技术
■
尺寸： 0.53 X 0.23 X 0.1毫米
主要特点
TAMB 。 = 25°
C
符号
Wu
FCO
n
BVak
门宽
截止频率
理想因子
阳极 - 阴极击穿电压
参数
典型值
5
3
1.2
< -5
单位
m
太赫兹
V
ESD保护：静电放电敏感器件。观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSDBES105a6354 - 〇六年十二月二十日
1/4
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
DBES105a
等效电路
Rs
倒装芯片双二极管
Rp
Cj0
CPAR
RS （ Ω ）
4.4
CJO （FF） （0V）
9.5
CPAR （FF）
5.8
FCO （太赫兹）
2.4
FCO = 1 /（ 2π卢比[ CPAR + CJO ] ）
RP可以忽略不计
绝对最大额定值
(1)
TAMB 。 = 25°
C
符号
VAK
IAK
参数
反转阳极 - 阴极电压
前的阳极 - 阴极电流
TYP 。值
-5
10
单位
V
mA
（ 1 ）本设备上面这些参数中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
IMAX VS环境温度Tamb
12
10
8
我最大（MA ）
6
4
2
0
0
20
40
60
谭B（ °
C)
80
100
120
参考文献。 ： DSDBES105a6354 - 〇六年十二月二十日
2/4
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
倒装芯片双二极管
典型的DC测量
DBES105a
-4.0
1E-01
1E-02
-3.0
-2.0
-1.0
电压U
D
[V]
UI的特点
当前| I
D
|
[A]
1E-03
1E-04
1E-05
1E-06
1E-07
1E-08
1E-09
1E-10
1E-11
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
是= 3.5E - 14一
1x5m
典型的晶圆上测量
偏置条件
VAK = 0V
参考文献。 ： DSDBES105a6354 - 〇六年十二月二十日
3/4
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
DBES105a
机械数据
倒装芯片双二极管
30
100
30
直径20
26
204
460
外形尺寸： 230
±
35 x 530
±
35 m
厚度为100微米=
±
10 m
530
204
26
160
230
尺寸在微米
订购信息
芯片形式：
DBES105a99F/00
提供的资料被认为是准确和可靠。但
联合单片半导体
S.A.S.
不承担任何责任使用这些信息的后果也不对任何侵犯
第三方专利或可能导致其使用的其他权利。没有获发牌照以暗示或
否则，下的任何专利或专利权
联合单片半导体S.A.S ..
特定网络阳离子
本出版物中提到如有变更，恕不另行通知。本出版物取代并替换所有
以前提供的信息。
联合单片半导体S.A.S.
产品不授权使用
未经明确的书面许可，生命支持设备或系统的关键组件
美国单片
半导体S.A.S.
参考文献。 ： DSDBES105a6354 - 〇六年十二月二十日
4/4
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
DBES105a
倒装芯片双二极管
砷化镓二极管
描述
该DBES105a是基于双肖特基二极管
上一个低成本1μm的步进过程包括一个
凹凸科技。寄生电感是
降低，导致非常高的操作
频率。
此倒装芯片双二极管已被设计为
高性能混频器的应用程序。
主要特点
■
高截止频率： 3THz
■
高击穿电压： < -5V
@ 20A
■
良好的理想因子： 1.2
■
低寄生电感
■
低成本技术
■
尺寸： 0.53 X 0.23 X 0.1毫米
主要特点
TAMB 。 = 25°C
符号
Wu
FCO
n
BVak
门宽
截止频率
理想因子
阳极 - 阴极击穿电压
参数
典型值
5
3
1.2
< -5
单位
m
太赫兹
V
ESD保护：静电放电敏感器件。观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSDBES1051067 -08 -MAR -01
1/4
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： ： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
DBES105a
等效电路
Rs
倒装芯片双二极管
Rp
Cj0
CPAR
RS （ Ω ）
4.4
CJO （FF） （0V）
9.5
CPAR （FF）
5.8
FCO （太赫兹）
2.4
FCO = 1 /（ 2π卢比[ CPAR + CJO ] ）
RP可以忽略不计
绝对最大额定值
(1)
TAMB 。 = 25°C
符号
VAK
IAK
参数
反转阳极 - 阴极电压
前的阳极 - 阴极电流
TYP 。值
-5
10
单位
V
mA
（ 1 ）本设备上面这些参数中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
IMAX VS环境温度Tamb
12
10
8
我最大（MA ）
6
4
2
0
0
20
40
60
谭B（ ° C）
80
100
120
参考文献。 ： DSDBES1051067 -08 -MAR -01
2/4
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
倒装芯片双二极管
典型的DC测量
DBES105a
-4.0
1E-01
1E-02
-3.0
-2.0
-1.0
电压U
D
[V]
UI的特点
当前| I
D
|
[A]
1E-03
1E-04
1E-05
1E-06
1E-07
1E-08
1E-09
1E-10
1E-11
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
是= 3.5E - 14一
1x5m
典型的晶圆上测量
偏置条件
VAK = 0V
参考文献。 ： DSDBES1051067 -08 -MAR -01
3/4
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
DBES105a
机械数据
倒装芯片双二极管
30
100
30
直径20
26
204
460
外形尺寸： 230
±
35 x 530
±
35 m
厚度为100微米=
±
10 m
530
204
26
160
230
尺寸在微米
订购信息
芯片形式
:
DBES105a-99F/00
提供的资料被认为是准确和可靠。但
联合单片半导体
S.A.S.
不承担任何责任使用这些信息的后果也不对任何侵犯
第三方专利或可能导致其使用的其他权利。没有获发牌照以暗示或
否则，下的任何专利或专利权
联合单片半导体S.A.S ..
特定网络阳离子
本出版物中提到如有变更，恕不另行通知。本出版物取代并替换所有
以前提供的信息。
联合单片半导体S.A.S.
产品不授权使用
未经明确的书面许可，生命支持设备或系统的关键组件
UNITED
单片半导体S.A.S.
参考文献。 ： DSDBES1051067 -08 -MAR -01
4/4
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
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