【Ennnnnnn28F016SA 16 MBIT（ 1兆比特×16 ， 2兆×8 ）FlashFil】,IC型号DA28F016SA-150,DA28F016SA-150 PDF资料,DA28F016SA-150经销商,ic,电子元器件-51电子网

28F016SA 16 MBIT

（ 1兆比特×16 ， 2兆×8 ）

FlashFile 内存

包括商业和扩展温度规格

用户可选的3.3V或5V V

用户可配置的x8或x16操作

70 ns的最大访问时间

28.6 MB /秒的突发写传输率

100万典型的擦除周期每

块

56引脚，1.2毫米× 14毫米×20mm的

TSOP封装

56引脚为1.8mm ×16毫米× 23.7毫米

SSOP封装

革命性的架构

流水线命令执行

程序在擦除

英特尔的超集命令

28F008SA

1毫安典型I

在静态模式

1 μA典型深度掉电

32独立带锁块

0.6微米ETOX IV闪存国家的最先进的

技术

英特尔28F016SA 16兆位FlashFile 存储是一个革命性的架构，它是理想的选择。

设计嵌入式直接执行代码和海量存储的数据/文件闪存系统。凭借创新

能力，低功耗，宽温操作和高读/程序的性能， 28F016SA

使真正的移动，高性能通信和计算产品的设计。

该28F016SA是密度最高，为固态性能最高的非易失性读/程序的解决方案

存储的应用程序。其对称地封结构（ 100与28F008SA 8兆位兼容％

FlashFile内存），延长循环，宽温操作，灵活的V

，快速的程序和读

性能和选择性块锁定提供适合于居住高度灵活的存储器元件

闪存阵列，高密度的存储卡和PCMCIA -ATA闪存驱动器。该28F016SA双重读取电压

允许的，可以互换地读/写在3.3V和5.0V系统的存储卡的设计。其

X8 / X16架构允许内存到处理器接口的优化。其高读取性能和

灵活的块锁使两个存储和执行的操作系统和应用软件。

英特尔0.6微米ETOX四，工艺技术制造， 28F016SA是最符合成本效益的，

密度最高的单片3.3V FlashFile内存。

1996年11月

订单号： 290489-004

本文档中的信息均与英特尔产品相关。没有许可证，明示或暗示，禁止反言或

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侵犯任何专利，版权或其他知识产权。英特尔产品并非设计用于医疗，生活中使用

拯救或延长生命的应用。

英特尔可能随时更改规格和产品说明，在任何时候，恕不另行通知。

该28F016SA可能包含设计缺陷或勘误表错误。当前勘误表可供索取。

*第三方品牌和名称均为其各自所有者的财产。

请联系您当地的英特尔销售办事处或分销商，以获取最新的规格和订购产品之前。

哪个有顺序编号的文档或其他英特尔文献中提及的文件副本，可能是

从获得的：

英特尔公司

P.O.箱7641

山展望， IL 60056-7641

或致电1-800-879- 4683

CG-041493

28F016SA

页面

5.6交流只有特性 - 阅读

Operations.................................................32

5.7上电和复位时序..................... 37

5.8交流特性WE＃ -Controlled

命令写操作...................... 38

5.9交流特性CE＃ -Controlled

命令写操作...................... 42

5.10 AC特性页写缓冲

Operations.................................................46

5.11擦除和字/字节编程

性能方面，自行车的性能和

暂停延迟....................................... 49

6.0降额曲线..................................... 50

7.0机械规范

TSOP ................................................. ........... 52

8.0机械规范

SSOP............................................................53

附录A ：设备术语和

订购信息.................................. 54

附录B ：附加信息............... 55

1.0简介............................................. 5

1.1产品概述........................................ 5

2.0器件的引脚............................................. 6

2.1铅说明........................................ 8

3.0存储器映射........................................... 12

3.1扩展状态寄存器映射..... 13

4.0总线操作，命令和

状态寄存器定义............. 14

4.1总线操作的字宽银幕模式

（ BYTE ＃ = V

)........................................... 14

4.2总线操作的字节宽度模式

（ BYTE ＃ = V

) ........................................... 14

4.3 28F008SA兼容模式命令

总线定义.......................................... 15

4.4 28F016SA ，性能增强

命令总线定义......................... 16

4.5兼容状态寄存器....................... 18

4.6全局状态寄存器............................... 19

4.7模块状态寄存器................................ 20

5.0电气特性................. 21

5.1绝对最大额定值....................... 21

5.2电容............................................... 22

5.3定时命名................................. 23

5.4直流特性（V

= 3.3V ± 10%) ..... 26

5.5直流特性

= 5.0V ± 10%, 5.0V ± 5%) ................ 29

28F016SA

修订历史

描述

蓝本

- 增加了56引线SSOP封装

- 分离AC读时序规格吨

AVEL

, t

AVGL

为扩展状态寄存器

读和写

- 修改了设备命名

- 增加了订货信息

- 增加了页面缓存的典型程序性能号码

- 增加了典型的擦除挂起潜伏期

- 因为我

CCD

（深度掉电电流） BYTE ＃必须在CMOS电平

- 增加了SSOP封装的机械规格

- 从“高级信息”到“初步”修订的文档状态

- 第5.11节：重命名规范“擦除挂起等待时间来计划”为

“自动擦除挂起等待时间来计划”

- 第5.7节：增加规格吨

PHEL3

, t

PHEL5

- TSOP尺寸A

为0.05毫米（分钟）

- SSOP尺寸B = 0.40毫米（最大）

- 小表面的改变

UPDATE ：

-Changed深度掉电电流

- 更改待机电流

- 改变睡眠模式电流

商业及扩展温度信息转换成单一的数据表

数

-001

-002

-003

-004

1.0

1.1

28F016SA

内部算法自动允许字/字节

程序和块擦除操作是

使用双写的命令序列，以执行

以同样的方式作为28F008SA 8兆位的崔

FlashFile内存。

命令的超集已被添加到该

基本28F008SA命令集以实现更高

程序的性能，并提供额外的

的能力。这些新的命令和功能

包括：

页面缓冲区写入闪存

命令队列功能

擦除过程中自动数据程序

内存块的软件锁定

两个字节的

系统

连续

节目

8-bit

介绍

英特尔28F016SA内存的文档

设备包括数据资料，详细的用户

手动，以及一些应用说明，所有的

其中在此数据表的末尾被引用。

该数据表的目的是给的概述

芯片功能设定操作AC / DC和

特定连接的阳离子。

16兆位闪存产品系列

用户手册

提供了完整的说明

在用户模式中，系统接口的实施例和

的所有操作原理的详细描述。它

还包含了软件算法的完整列表

流程图和兼容性简短的部分用

英特尔28F008SA 。

产品概述

该28F016SA是一个高性能的16兆位

（ 16777216位）的块擦除非易失性随机

存取存储器组织成是1 Mword X

16或2 MB的X 8. 28F016SA包括第三十

两个64 - KB （ 65,536 ）块或32 32 KW

（ 32,768 ）块。 A芯片的存储器映射如图

图4中。

新架构的实施，与

许多增强的功能，将提高该设备

工作在更高的特点和效果

产品的可靠性和易于使用。

中

28F016SA ：

显著

增强

该

删除所有块解锁

在任一字节进行内存数据写入

通常在6 μs或字为单位， 33％

改进的28F008SA 。块擦除

操作擦除的32块之一的典型

0.6秒，独立于其他块，它是一个

改进了28F008SA 65％。

每个块可以被写入和擦除的最小的

10万次。系统可以实现通常单

亿块擦除周期提供耗损均衡

算法和优美块的退休生活。这些

技术已经被用于许多

闪存文件系统。此外，穿练级

块擦除周期可以被用来最小化

跨编程/擦除性能差异

块。

该28F016SA采用两页缓冲器

256个字节（ 128字）的每个以允许页面数据

写道。这一功能可以提升系统的写

高达4.8倍比上闪存的性能

存储器装置。

所有操作都通过序列开始

命令写入到设备。三种状态

寄存器（稍后详细描述）和一个RY / BY＃

输出引脚提供的进度信息

请求的操作。

而28F008SA需要的操作

完成之前，下一个操作可以是

要求， 28F016SA允许的排队

下一个，而存储器执行操作

当前的操作。这消除了系统开销

3.3V低功耗性能

提高程序性能

座专用编程/擦除保护

一个3/5 ＃输入引脚重新配置内部设备

优化3.3V或5.0V的读取/写入操作。

该28F016SA将在一个56引脚，

1.2mm厚14毫米× 20毫米TSOP I型

封装或56引脚，1.8毫米厚16毫米×

23.7毫米SSOP封装。该TSOP外形

和引脚允许非常高的电路板布局

密度。 SSOP封装提供了宽松的铅

间距尺寸。

A命令的用户界面（ CUI）作为

微处理器之间或系统接口

微控制器和所述内部存储器的操作。