IRFD9110
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
连续源极到漏极电流
脉冲源极到漏极电流
（注3）
符号
I
SD
I
SDM
测试条件
修改MOSFET
符号显示的
整体逆转的p-n
结二极管
G
D
民
-
-
典型值
-
-
最大
-0.7
-3.0
单位
A
A
S
源极到漏极二极管电压（注2 ）
反向恢复时间
反向恢复Charge6466
注意事项：
V
SD
t
rr
Q
RR
T
J
= 25
o
C，我
SD
= -0.7A ，V
GS
= 0V时， （图12）
T
J
= 150
o
C，我
SD
= -0.7A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
T
J
= 150
o
C，我
SD
= -0.7A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
120
6.0
-1.5
-
-
V
ns
C
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3. V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25
o
C，L = 582mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
AS
= 0.7A 。参见图14,15 。
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
除非另有规定编
-1.0
I
D,
漏电流（ A）
0
25
50
75
100
125
o
C)
T
A
，环境温度（
150
-0.8
-0.6
0.6
0.4
-0.4
0.2
0.0
-0.2
0
25
125
50
75
100
o
C)
T
A
，环境温度（
150
图1.归功耗与AMBIENT
温度
图2.最大连续漏极电流VS
环境温度
-5
10s
I
D
，漏电流（ A）
1
100s
1ms
-4
V
GS
= -10V
V
GS
= -9V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
I
D
，漏电流（ A）
10ms
0.1
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
T
C
= 25
o
C
T
J
=最大额定
100ms
-3
V
GS
= -8V
-2
V
GS
= -7V
V
GS
= -6V
V
GS
= -5V
-1
0.01
1
DC
0
10
100
0
V
DS
，漏源极电压（ V）
-10
-20
-30
-40
V
DS
，漏源极电压（ V）
-50
图3.正向偏置安全工作区
图4.输出特性
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