IRFD9110
数据表
1999年7月
网络文件编号
2215.3
0.7A ， 100V ， 1.200欧姆， P沟道功率
MOSFET
这种P沟道增强型硅栅功率音响场
场效应晶体管是一种先进的功率MOSFET设计，
经过测试，并保证能承受一个特定的编辑水平
能在操作中的击穿雪崩模式。所有
这些功率MOSFET设计用于应用程序，例如
开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，
继电器驱动器，以及用于高功率双极开关的驱动
晶体管需要高速，低栅极驱动电源。
这些类型可以直接从集成操作
电路。
以前发育类型TA17541 。
特点
0.7A ， 100V
r
DS （ ON）
= 1.200
单脉冲能量额定雪崩
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
符号
D
订购信息
产品型号
IRFD9110
包
HEXDIP
BRAND
IRFD9110
G
S
注：订货时，使用整个零件编号。
包装
HEXDIP
漏
门
来源
4-39
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
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版权
Intersil公司1999
