1996年11月

NDP6020 / NDB6020

N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

概述

这些逻辑电平N沟道增强型功率

场效应晶体管都采用全国产的

专有的，高密度， DMOS技术。这

非常高密度的过程中已特别针对

最大限度地减少通态电阻，提供出色的

开关性能，并能承受高能量

脉冲雪崩和换向模式。

这些装置特别适用于低电压

应用，如汽车，直流/直流转换器，

PWM电机控制，和其它电池供电

电路中快速切换，低线功率损耗，

并且需要抗瞬变。

特点

35 A， 20 V

DS （ ON）

= 0.023

@ V

GS

= 4.5 V

R

DS （ ON）

= 0.028

@ V

GS

= 2.7 V.

在高温指定临界直流电气参数

温度。

坚固的内部源极 - 漏极二极管可以不需要

外部齐纳二极管瞬态抑制器。

175°C最高结温额定值。

高密度电池设计极低R

DS （ ON）

.

的TO-220和TO- 263 （四

2

PAK ），通过封装为

孔和表面贴装应用。

_______________________________________________________________________________

D

G

S

绝对最大额定值

符号

参数

T

C

= 25 ° C除非另有说明

NDP6020

NDB6020

单位

V

DSS

V

DGR

V

GSS

I

D

漏源电压

漏，栅极电压（R

GS

＆ LT ; 1M的

)

栅源电压 - 连续

漏电流

- 连续

- 脉冲

20

20

±8

35

100

60

0.4

-65 175

V

V

V

A

P

D

总功率耗散@ T

C

= 25

°

C

减免上述25

°

C

W

W/

°

C

°C

T

J

,T

英镑

工作和存储温度范围

1997仙童半导体公司

NDP6020 Rev.C