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1996年11月
NDP6020 / NDB6020
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
概述
这些逻辑电平N沟道增强型功率
场效应晶体管都采用全国产的
专有的,高密度, DMOS技术。这
非常高密度的过程中已特别针对
最大限度地减少通态电阻,提供出色的
开关性能,并能承受高能量
脉冲雪崩和换向模式。
这些装置特别适用于低电压
应用,如汽车,直流/直流转换器,
PWM电机控制,和其它电池供电
电路中快速切换,低线功率损耗,
并且需要抗瞬变。
特点
35 A, 20 V
DS ( ON)
= 0.023
@ V
GS
= 4.5 V
R
DS ( ON)
= 0.028
@ V
GS
= 2.7 V.
在高温指定临界直流电气参数
温度。
坚固的内部源极 - 漏极二极管可以不需要
外部齐纳二极管瞬态抑制器。
175°C最高结温额定值。
高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
的TO-220和TO- 263 (四
2
PAK ),通过封装为
孔和表面贴装应用。
_______________________________________________________________________________
D
G
S
绝对最大额定值
符号
参数
T
C
= 25 ° C除非另有说明
NDP6020
NDB6020
单位
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
漏源电压
漏,栅极电压(R
GS
& LT ; 1M的
)
栅源电压 - 连续
漏电流
- 连续
- 脉冲
20
20
±8
35
100
60
0.4
-65 175
V
V
V
A
P
D
总功率耗散@ T
C
= 25
°
C
减免上述25
°
C
W
W/
°
C
°C
T
J
,T
英镑
工作和存储温度范围
1997仙童半导体公司
NDP6020 Rev.C
电气特性
(T
符号
参数
开关特性
C
= 25 ° C除非另有说明)
条件
典型值
最大
单位
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V,I
D
= 250 A
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55°C
V
GS
= 8 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -8 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
T
J
= 125°C
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 18 A
T
J
= 125°C
V
GS
= 2.7 V,I
D
= 16 A
20
1
10
100
-100
V
A
mA
nA
nA
门 - 体泄漏,正向
门 - 体泄漏,反向
基本特征
(注1 )
栅极阈值电压
0.4
0.2
0.62
0.35
0.019
0.024
0.024
1
0.7
0.023
0.032
0.028
V
静态漏源导通电阻
I
D(上)
g
FS
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 5 V,I
D
= 18 A
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
60
29
1170
610
180
A
S
pF
pF
pF
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
开关特性
(注1 )
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 20 V,I
D
= 35 A,
V
GS
= 5 V ,R
= 10
R
L
= 0.5
7
148
98
233
20
300
200
450
45
nS
nS
nS
nS
nC
nC
nC
V
DS
= 15 V,
I
D
= 35 A,V
GS
= 5 V
32
6
11
NDP6020 Rev.C
电气特性
(T
符号
参数
C
= 25 ° C除非另有说明)
条件
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电流
V
GS
= 0 V,I
S
= 35 A
(注1 )
V
GS
= 0 V,I
F
= 35 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
1.1
43
1.1
35
100
1.3
90
3
A
A
V
ns
A
热特性
R
θ
JC
R
θ
JA
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
2.5
62.5
°
C / W
°
C / W
注意:
1.脉冲测试:脉冲宽度< 300微秒,占空比< 2.0 % 。
NDP6020 Rev.C
典型电气特性
60
V
GS
= 4.5 V
1 .8
3 .5 3 .0
2 .7
漏源导通电阻
I
D
,漏源电流(A )
50
2 .5
40
R
DS ( ON)
归一化
1 .6
V
GS
= 2.0V
1 .4
2 .5
2 .7
3 .0
30
2 .0
1 .2
3 .5
4 .0
4 .5
5 .0
20
10
1 .5
1
0
0
1
2
3
V
DS
,漏源电压(V )
4
5
0 .8
0
10
20
30
40
I
D
, DRA电流( A)
50
60
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与门
电压和漏电流。
1 .8
1 .8
I
D
= 18A
漏源导通电阻
V
GS
= 4.5 V
漏源导通电阻
1 .6
1 .6
V
GS
= 4.5V
R
DS ( ON)
归一化
R
DS ( ON)
归一化
TJ = 125°C
1 .4
1 .2
1
0 .8
0 .6
0 .4
0
10
20
30
40
I
D
, DRA电流( A)
50
60
1 .4
1 .2
25°C
1
-55°C
0 .8
0 .6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T,结tem温度( ° C)
J
150
175
图3.导通电阻变化
随温度
.
图4.导通电阻变化与漏
电流和温度
.
20
门源阈值电压
1 .4
V
DS
= 5V
15
T = -55°C
J
25°C
V
DS
= V
GS
1 .2
I
D
= 250A
I
D
,漏电流( A)
125°C
V
th
归一化
1
10
0 .8
0 .6
5
0 .4
0
0 .5
V
GS
1
1 .5
,门源电压( V)
2
0 .2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
,结温( ° C)
150
175
图5.传输特性
.
图6.门阈值变化与
温度
.
NDP6020 Rev.C
典型电气特性
(续)
1 .1 5
20
漏源击穿电压
I
D
=250A
1 .1
V
GS
=0V
I
S
,反向漏电流( A)
5
1
0 .5
0 .1
TJ = 125°C
BV
DSS
归一化
1 .0 5
25°C
-55°C
1
0 .01
0 .9 5
0 .001
0 .9
-5 0
-2 5
0
T
J
25
50
75
100
125
,结tem温度( ° C)
150
175
0 .0001
0
0 .2
0 .4
0 .6
0 .8
1
V
SD
,体二极管FORW一个RD电压(V )
1 .2
图7.击穿电压变化与
温度
.
图8.体二极管正向电压
变化与电流和
温度
.
3500
8
I
D
= 35A
V
GS
,栅源电压(V )
2000
1500
6
V
DS
= 1 0 V
电容(pF)
1000
西塞
20V
4
15V
500
科斯
200
F = 1 MHz的
V
GS
= 0V
CRSS
2
100
0 .1
0 .5
1
5
V
DS
,漏源极电压( V)
10
20
0
0
8
16
24
Q
g
,栅极电荷( NC)
32
40
图9.电容特性
.
图10.栅极电荷特性
.
V
DD
t
D(上)
t
on
t
r
90%
t
关闭
t
D(关闭)
90%
t
f
V
IN
D
R
L
V
OUT
DUT
V
V
OUT
10%
10%
R
R
GS
G
90%
V
IN
S
10%
50%
50%
PULSE W ID
图11.开关测试电路
.
图12.开关波形
.
NDP6020 Rev.C
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