1996年11月
NDP6020 / NDB6020
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
概述
这些逻辑电平N沟道增强型功率
场效应晶体管都采用全国产的
专有的,高密度, DMOS技术。这
非常高密度的过程中已特别针对
最大限度地减少通态电阻,提供出色的
开关性能,并能承受高能量
脉冲雪崩和换向模式。
这些装置特别适用于低电压
应用,如汽车,直流/直流转换器,
PWM电机控制,和其它电池供电
电路中快速切换,低线功率损耗,
并且需要抗瞬变。
特点
35 A, 20 V
DS ( ON)
= 0.023
@ V
GS
= 4.5 V
R
DS ( ON)
= 0.028
@ V
GS
= 2.7 V.
在高温指定临界直流电气参数
温度。
坚固的内部源极 - 漏极二极管可以不需要
外部齐纳二极管瞬态抑制器。
175°C最高结温额定值。
高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
的TO-220和TO- 263 (四
2
PAK ),通过封装为
孔和表面贴装应用。
_______________________________________________________________________________
D
G
S
绝对最大额定值
符号
参数
T
C
= 25 ° C除非另有说明
NDP6020
NDB6020
单位
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
漏源电压
漏,栅极电压(R
GS
& LT ; 1M的
)
栅源电压 - 连续
漏电流
- 连续
- 脉冲
20
20
±8
35
100
60
0.4
-65 175
V
V
V
A
P
D
总功率耗散@ T
C
= 25
°
C
减免上述25
°
C
W
W/
°
C
°C
T
J
,T
英镑
工作和存储温度范围
1997仙童半导体公司
NDP6020 Rev.C
电气特性
(T
符号
参数
C
= 25 ° C除非另有说明)
条件
民
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电流
V
GS
= 0 V,I
S
= 35 A
(注1 )
V
GS
= 0 V,I
F
= 35 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
1.1
43
1.1
35
100
1.3
90
3
A
A
V
ns
A
热特性
R
θ
JC
R
θ
JA
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
2.5
62.5
°
C / W
°
C / W
注意:
1.脉冲测试:脉冲宽度< 300微秒,占空比< 2.0 % 。
NDP6020 Rev.C