典型电气特性
30
2
V
GS
= 20V
I
D
，漏源电流（A ）
25
12
8.0
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
10
V
GS
= 6V
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
7.0
8.0
10
12
20
20
7.0
15
10
6.0
5
5.0
0
0
2
4
6
8
0
5
V
DS
，漏源电压（V ）
10
15
20
I
D
，漏电流（ A）
25
30
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
栅极电压和漏极电流。
2.5
2.5
V
漏源导通电阻
2
V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 6A
TJ = 125°C
2
GS
= 10V
R
DS （ ON）
归一化
1.5
1.5
1
25°C
1
0.5
-55°C
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T，结温（ ° C）
J
150
175
0.5
0
5
10
15
20
25
30
I
D
，漏电流（ A）
图3.导通电阻变化
与温度。
图4.导通电阻变化与
漏电流和温度。
10
栅源阈值电压（ V）
1.2
V
DS
= 10V
8
I
D
，漏电流（ A）
T = -55°C
J
25
125
V
th
归一化
V
DS
= V
1.1
GS
I
D
= 250A
1
6
0.9
4
0.8
2
0.7
0
2
3
V
GS
4
5
6
，门源电压（ V）
7
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
150
175
图5.传输特性。
图6.门阈值变化
与温度。
NDP408.SAM
