1994年5月

NDP408A / NDP408AE / NDP408B / NDP408BE

NDB408A / NDB408AE / NDB408B / NDB408BE

N沟道增强型网络场效晶体管

概述

这些N沟道增强型功率场

场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的

专有的，高密度， DMOS技术。这

非常高密度的过程中得到了特别

针对减少通态电阻，

出色的开关性能，并能承受高

能量脉冲雪崩和减刑

模式。这些装置特别适用于低

电压应用，如汽车，直流/直流

转换器， PWM电机控制和其他电池

供电电路中快速切换，低线

需要的功率损耗，以及抗瞬变。

特点

12和11A， 80V 。

DS （ ON）

= 0.16和0.20Ω 。

在指定临界直流电气参数

升高的温度。

坚固的内部源极 - 漏极二极管可以消除

需要的外部齐纳二极管瞬态

抑制器。

175°C最高结温额定值。

高密度电池设计（ 300万/平方英寸）的极

低R

DS （ ON）

.

的TO-220和TO- 263 （四

2

PAK ）封装为

通孔和表面贴装应用。

_____________________________________________________________________

D

G

S

绝对最大额定值

符号参数

V

DSS

V

DGR

V

GSS

I

D

P

D

T

J

,T

英镑

T

L

漏源电压

漏，栅极电压（R

GS

< 1 MΩ ）

栅源电压 - 连续

- 非重复性（T

P

＆ LT ; 50

s)

漏电流 - 连续

- 脉冲

总功率耗散@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

T

C

= 25 ° C除非另有说明

NDP408A NDP408AE

NDB408A NDB408AE

80

80

±20

±40

12

36

50

0.33

NDP408B NDP408BE

NDB408B NDB408BE

单位

V

V

V

V

11

33

A

A

W

W / ℃，

°C

°C

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的

目的， 8"分之1从案例5秒

-65 175

275

1997仙童半导体公司

NDP408.SAM