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256MB ， 512MB ， 1GB无缓冲的SODIMM
电气特性&交流时序DDR2-800 / 667 /四百分之五百三十三
(0
°C
＆ LT ;吨
OPER
< 95
°C;
V
DDQ
= 1.8V + 0.1V; V
DD
= 1.8V + 0.1V)
DDR2 SDRAM
刷新了器件密度参数
参数
刷新主动/刷新命令的时间
平均周期刷新间隔
tRFC
tREFI
0
°C ≤
T
例
≤
85°C
85
° ℃下
T
例
≤
95°C
符号
256Mb
75
7.8
3.9
512Mb
105
7.8
3.9
1Gb
127.5
7.8
3.9
2Gb
195
7.8
3.9
4Gb
327.5
7.8
3.9
单位
ns
s
s
速箱和CL ， tRCD的，激进党，真相与和解委员会tRAS的相应斌
速度
箱子
（ CL - tRCD的 - 激进党）
参数
TCK ， CL = 3
TCK ， CL = 4
TCK ， CL = 5
tRCD的
激进党
TRC
tRAS的
民
5
3.75
2.5
12.5
12.5
51.5
39
DDR2-800(E7)
5-5-5
最大
8
8
8
-
-
-
70000
DDR2-667(E6)
5-5-5
民
5
3.75
3
15
15
54
39
70000
DDR2-533(D5)
4-4-4
DDR2-400(CC)
3-3-3
单位
最大
8
8
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
70000
最大
8
8
8
民
5
3.75
3.75
15
15
55
40
最大
8
8
8
民
5
5
-
15
15
55
70000
40
ns
速率等级时序参数
（参见注释底部与此相关的表信息）
参数
从CK / CK DQ输出访问时间
从CK / CK DQS输出访问时间
CK高电平宽度
CK低电平宽度
CK半期
时钟周期，CL = X
DQ和DM输入保持时间
DQ和DM输入建立时间
控制&地址输入脉冲宽度为每个
输入
DQ和DM输入脉冲宽度为每个输入
从CK / CK数据输出高阻抗的时间
从CK / CK DQS低阻抗时间
从CK / CK DQ低阻抗时间
DQS -DQ歪斜的DQS和DQ相关
信号的
DQ举行倾斜因子
从DQS DQ / DQS输出保持时间
符号
TAC
tDQSCK
总胆固醇
TCL
THP
TCK
TDH （基峰）
TDS （基地）
tIPW
tDIPW
太赫兹
TLZ （ DQS ）
TLZ （DQ）
TDQSQ
TQHS
tQH
DDR2-800
民
- 400
- 350
0.45
0.45
分（ TCL ，T
CH ）
2500
125
50
0.6
0.35
x
TAC分钟
2 * TAC
民
x
x
THP -
TQHS
- 0.25
0.35
DDR2-667
民
-450
-400
0.45
0.45
分（ TCL ，
TCH）
3000
175
100
0.6
0.35
x
TAC分钟
2*tAC
民
x
x
THP -
TQHS
-0.25
0.35
DDR2-533
民
-500
-450
0.45
0.45
分（ TCL ，
TCH）
3750
225
100
0.6
0.35
x
TAC分钟
DDR2-400
民
-600
-500
0.45
0.45
分（ TCL ，
TCH）
5000
275
150
0.6
0.35
x
TAC分钟
单位备注
ps
ps
TCK
TCK
ps
ps
ps
ps
TCK
TCK
ps
ps
ps
ps
ps
ps
TCK
TCK
最大
400
350
0.55
0.55
x
8000
x
x
x
x
TAC最大
TAC最大
TAC最大
200
300
x
0.25
x
最大
+450
+400
0.55
0.55
x
8000
x
x
x
x
TAC最大
TAC最大
最大
+500
+450
0.55
0.55
x
8000
x
x
x
x
TAC最大
TAC最大
最大
+600
+500
0.55
0.55
x
8000
x
x
x
x
TAC最大
TAC最大
TAC最大
350
450
x
0.25
x
TAC最大2 * tACmin TAC最大2 * tACmin
240
340
x
0.25
x
x
x
THP -
TQHS
-0.25
0.35
300
400
x
0.25
x
x
x
THP -
TQHS
-0.25
0.35
写命令第一DQS闭锁过渡tDQSS
DQS输入高电平脉冲宽度
tDQSH
修订版1.2 2005年08月
