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256MB ， 512MB ， 1GB无缓冲的SODIMM
工作电流表（ 1-2 ）
(T
A
=0
o
C， VDD = 1.9V ）
M470T2953CZ3 / M470T2953CZ0 ： 128Mx64 1GB模块
符号
IDD0
IDD1
IDD2P
IDD2Q
IDD2N
IDD3P-F
IDD3P-S
IDD3N
IDD4W
IDD4R
IDD5
IDD6
IDD7
800@CL=5
CE7
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
LE7
667@CL=5
CE6
1,000
1,120
128
560
640
480
192
760
1,440
1,480
1,520
128
2,080
LE6
800
880
80
480
560
400
128
640
1,320
1,360
1,360
64
1,720
533@CL=4
CD5
920
1,040
128
480
560
480
192
680
1,240
1,280
1,400
128
2,040
LD5
760
840
72
400
480
400
128
560
1,120
1,160
1,240
64
1,680
400@CL=3
CCC
920
1,040
128
480
560
480
192
680
1,160
1,160
1,400
128
2,040
LCC
760
840
72
400
480
400
128
560
1,000
1,040
1,240
64
1,680
DDR2 SDRAM
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
笔记
*模块IDD计算部件IDD的基础上并根据DQ加载帽可以不同地进行测定。
输入/输出电容
（ VDD = 1.8V ， VDDQ = 1.8V ， TA = 25
o
C)
参数
非ECC
输入电容， CK和CK
输入电容， CKE ， CS ，地址， RAS ， CAS，WE
输入/输出电容， DQ ， DM ， DQS ， DQS
符号
民
最大
民
最大
民
最大
单位
M470T6554CZ3
M470T6554CZ0
-
-
-
-
32
34
10
9
M470T3354CZ3
M470T3354CZ0
-
-
-
-
24
34
6
5.5
M470T2953CZ3
M470T2953CZ0
-
-
-
-
48
42
10
9
pF
CCK
CI
CIO(400/533)
CIO(667/800)
* DM被内部匹配DQ和DQS相同。
修订版1.2 2005年08月
