转换，从HCPL- 4562为
HCNW4562
为了得到类似的电路性能时
从HCPL- 4562转换到HCNW4562 ，
建议增加静态输入
目前，我
FQ
从6毫安至10毫安。如果应用程序
电路在图4中被使用时，则电位器R4的
作适当的调整。
图15示出的直流输出的依赖关系
电压
FEX
.
对于9 V < V
CC
< 12 V ，选择R的值
11
这样
那
V
O
4.25 V
I
CQ4
–––
≤
––––––
≤
9.0毫安
(8)
Q4
R
11
470
在第二级的电压增益（Q
3
）是
约等于：
R
9
1
––– * –––––––––––––––––––––––––
R
10
1 + S R C
1
9
CQ
3
+ –––––––––
2π R′
11
f
T4
4
增加R'
11
(R′
11
包括并行
的R组合
11
和负载阻抗）或
减少
9
（保持
9
/R
10
比例常数）会
提高了带宽。
如果有必要以驱动低阻抗负载，
带宽也可通过添加保存
附加的发射极跟随缓冲级（Q
5
in
图16） ，其中当R
11
可提高到
我集
CQ4
2毫安。
最后，调整R
4
以实现所需的电压
获得。
V
OUT
I
PB
R
7
R
9
G
V
––––
–––– ––––––
V
IN
I
F
R
4
R
10
(10)
(9)
的设计注意事项
应用电路
应用电路在图4中采用了
几个功能，有助于最大限度地提高带宽
该HCPL - 4562 / HCNW4562的性能。最
重要的特征是见顶回应
检测电路，有助于延长频率
范围在其上的电压增益相对
常数。增益级的数目，总的
电路拓扑结构，以及直流偏置点的选择
是最大限度的欲望产生的一切后果
带宽性能。
要使用该电路中，首先选择R
1
设置V
E
对于
LED所需静态电流：
V
E
G
V
V
E
R
10
I
FQ
=
––
–––––––––––––
R
4
(I
PB
/I
F
) R
7
R
9
(1)
为一个恒定值V
INP -P
时，电路拓扑
（调整为R增益
4
）在保持线性
保持调制系数（ MF ）只依赖
在V
E
.
i
FP- P
V
IN
/R
4
p-p
i
FP- P
i
PBP -P
V
INP -P
p-p
p-p
p-p
––––
––––– = –––––
I
FQ
I
PBQ
V
E
调制
i
F（ π-π ）
V
INP -P
p-p
(p-p)
因子（ MF ） ： ----- = -----
2 V
E
2 I
FQ
(2)
(3)
(4)
对于给定的摹
V
, V
E
和V
CC
直流输出电压
变化只在H
FEX
.
R
9
V
O
= V
CC
–
V
BE
–
––– [V
BEX
–
(I
PBQ
–
I
BXQ
) R
7
]
4
R
10
其中：
G
V
V
E
R
10
I
PBQ
––––––––
R
7
R
9
而且，
V
CC
–
2 V
BE
I
BXQ
––––––––––
R
6
h
FEX
(7)
(6)
(5)
I
PB
其中，一般---- = 0.0032
I
F
德网络nition ：
G
V
=电压增益
I
FQ
=静态LED正向电流
i
FP- P
=峰 - 峰值小信号LED正向
当前
V
INP -P
=峰 - 峰小信号的输入电压
i
PBP -P
=峰 - 峰小信号
基地光电流
I
PBQ
=静态基地光电流
V
BEX
= HCPL - 4562的基射极电压/
HCNW4562晶体管
I
BXQ
= HCPL - 4562的静态基极电流/
HCNW4562晶体管
h
FEX
=电流增益（I
C
/I
B
） HCPL - 4562的/
HCNW4562晶体管
V
E
=对面射极负电压
电阻R
4
f
T
4
Q的=单位增益频率
5
C
CQ
=从Q的集电极电容有效
3
3
对地
1-401
