IMRR - 隔离模抑制比 - 分贝
150
HCPL-4562
T
A
= 25 °C
HCNW4562
120
-20 dB /十倍频斜率
90
60
G
v
v
OUT
/
v
IM
100 1000 10,000
30
IMRR = 20 LOG
10
0
0.01
0.1
1.0
10
的F - 频率 - 千赫
图14.隔离模抑制比与频率的关系。
6.0
V
O
- 直流输出电压 - V
HCPL-4562
HCNW4562
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
50 100 150 200 250 300 350 400 450
h
FE
- 晶体管电流增益
图15.直流输出电压与晶体管的电流增益。
输出功率 - P
S
，输入电流 - 我
S
V
CC
R
9
Q
4
Q
3
R
11
R
10
R
12
Q
5
V
OUT
低
阻抗
负载
I
C
Q4
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
25
50
HCNW4562
P
S
（ mW）的
I
S
（MA ）
= 2毫安
另外
卜FF器
舞台
75
100 125 150 175
T
S
- 外壳温度 - °C
图16.输出缓冲舞台
低阻抗负载。
图17.温度降额曲线，
安全限值的依赖
每VDE外壳温度
0884.
1-400
