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三菱的LSI
M5M5V108CFP ，副总裁， RV ， KV ， KR -70HI ， -10HI ，
-70XI ， -10XI
1048576 - BIT （ 131072 -字×8位）的CMOS静态RAM
写周期（S
1
控制模式）
t
CW
A
0~16
t
SU（ A）
t
SU（ S1 ）
t
REC （ W）
S
1
S
2
（注3）
（注5 ）
（注3）
W
（注4 ）
（注3）
（注3）
t
SU（ D）
DATA IN
稳定
t
H（ D）
DQ
1~8
写周期（S
2
控制模式）
t
CW
A
0~16
S
1
（注3）
（注3）
t
SU（ A）
S
2
t
SU（ S2 ）
t
REC （ W）
（注5 ）
W
（注3）
（注4 ）
（注3）
t
SU（ D）
DATA IN
稳定
t
H（ D）
DQ
1~8
注3 ：孵化表示状态是"don't care" 。
4 ：写作的同时S执行
2
高重叠S
1
和W低。
5：当W的下降沿同时或先于S的下降沿
1
或S的上升沿
2
中，输出被保持在高阻抗状态。
6 ：不要将倒相的信号时，外部DQ引脚为输出模式。
三菱
电
6
