位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1263页 > M5M5V108CKV-10XI > M5M5V108CKV-10XI PDF资料 > M5M5V108CKV-10XI PDF资料1第4页
三菱的LSI
M5M5V108CFP ，副总裁， RV ， KV ， KR -70HI ， -10HI ，
-70XI ， -10XI
1048576 - BIT （ 131072 -字×8位）的CMOS静态RAM
AC电气特性
（大= - 40 85°C ，除非另有说明）
（1）测定条件
V
CC
................................. 2.7~3.6V
输入脉冲电平............. V
IH
=2.2V,V
IL
=0.4V
输入上升和下降时间为5ns .....
参考电平............... V
OH
=V
OL
=1.5V
输出负载...................图1 ，C
L
=30pF
C
L
= 5pF的（对于T
en
,t
DIS
)
转变是从稳定的测量± 500mV的
态电压。 （对于T
en
,t
DIS
)
DQ
C
L
INCLUDING
范围，夹具
1TTL
图1输出负载
（ 2 ）读周期
范围
符号
t
CR
t
a(A)
t
a(S1)
t
a(S2)
t
一个（OE）
t
dis(S1)
t
dis(S2)
t
DIS （ OE ）
t
en(S1)
t
en(S2)
t
EN（ OE ）
t
V（A）
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择1访问时间
芯片选择2存取时间
输出启用访问时间
之后一下输出禁止时间
1
高
之后一下输出禁止时间
2
低
OE高后输出禁止时间
之后一下输出使能时间
1
低
之后一下输出使能时间
2
高
OE后低输出使能时间
地址后，数据的有效时间
-70HI,-70XI
民
最大
70
70
70
70
35
25
25
25
10
10
5
10
-10HI,-10XI
民
最大
100
100
100
100
50
35
35
35
10
10
5
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
（ 3 ）写周期
符号
t
CW
t
w(W)
t
SU（ A）
t
SU（ A- WH ）
t
su(S1)
t
su(S2)
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
REC （ W）
t
DIS （ W）
t
DIS （ OE ）
t
EN（ W）
t
EN（ OE ）
参数
写周期时间
把脉冲宽度
地址建立时间
地址建立时间就为W
芯片选择1设置时间
芯片选择2建立时间
数据建立时间
数据保持时间
写恢复时间
与W的低输出禁止时间
从OE高输出禁止时间
输出使能与W的时候
从OE低输出使能时间
范围
-70HI,-70XI
-10HI,-10XI
民
最大
民
最大
70
100
55
75
0
0
65
85
65
85
65
85
30
40
0
0
0
0
25
35
25
35
5
5
5
5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
三菱
电
4
