NZD560A
NZD560A
NPN低饱和晶体管
这些器件专为高电流增益，低饱和度
电压与集电极电流高达3.0A的连续。
从工艺NA来源。
1
D- PAK
2.Collector
3.Emitter
1.Base
绝对最大额定值*
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
- 连续
工作和存储结温范围
参数
价值
55
80
5
3
- 55 ~ +150
单位
V
V
V
A
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1 ）这些等级是基于对150度C的最高结温
2 ）这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用。
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
开关特性
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
测试条件
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
E
= 100μA ，我
E
= 0
I
E
= 100μA ，我
C
= 0
V
CB
= 30V ，我
E
= 0
V
CB
= 30V ，我
E
= 0, T
A
= 100°C
V
EB
= 4V ，我
C
= 0
I
C
= 100mA时V
CE
= 2V
I
C
= 500毫安，V
CE
= 2V
I
C
= 1A ，V
CE
= 2V
I
C
= 3A ，V
CE
= 2V
I
C
= 1A ，V
CE
= 3V
I
C
= 1A ，我
B
= 100毫安
I
C
= 2A ，我
B
= 200毫安
I
C
= 1A ，我
B
= 8毫安
I
C
= 1A ，我
B
= 100毫安
I
C
= 1A ，我
B
= 8毫安
I
C
= 1A ，V
CE
= 2V
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
I
C
= 100mA时V
CE
= 5V,
F = 100MHz的
75
70
250
80
25
200
分钟。
55
80
5
100
10
10
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
A
nA
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
发射基截止电流
直流电流增益
在特性*
550
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
300
400
1.5
1.25
1
1
30
mV
mV
V
V
V
V
pF
兆赫
V
BE
（SAT）
V
BE
（上）
C
敖包
f
T
基射极饱和电压
基射极电压上
输出电容
跃迁频率
小信号特性
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
2002仙童半导体公司
修订版B1 ， 2002年8月
