【NZD560ANZD560ANPN低饱和晶体管这些器件专为高电流增益，低饱和度电压与集电极电流高达3】,IC型号NZD560A,NZD560A PDF资料,NZD560A经销商,ic,电子元器件-51电子网

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NZD560A

NZD560A

NPN低饱和晶体管

这些器件专为高电流增益，低饱和度

电压与集电极电流高达3.0A的连续。

从工艺NA来源。

1

D- PAK

2.Collector

3.Emitter

1.Base

绝对最大额定值*

T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

T

J

, T

英镑

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

- 连续

工作和存储结温范围

参数

价值

55

80

5

3

- 55 ~ +150

单位

V

V

V

A

°C

*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。

注意事项：

1 ）这些等级是基于对150度C的最高结温

2 ）这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用。

电气特性

T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

开关特性

BV

首席执行官

BV

CBO

BV

EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE

参数

测试条件

I

C

= 10毫安，我

B

= 0

I

E

= 100μA ，我

E

= 0

I

E

= 100μA ，我

C

= 0

V

CB

= 30V ，我

E

= 0

V

CB

= 30V ，我

E

= 0, T

A

= 100°C

V

EB

= 4V ，我

C

= 0

I

C

= 100mA时V

CE

= 2V

I

C

= 500毫安，V

CE

= 2V

I

C

= 1A ，V

CE

= 2V

I

C

= 3A ，V

CE

= 2V

I

C

= 1A ，V

CE

= 3V

I

C

= 1A ，我

B

= 100毫安

I

C

= 2A ，我

B

= 200毫安

I

C

= 1A ，我

B

= 8毫安

I

C

= 1A ，我

B

= 100毫安

I

C

= 1A ，我

B

= 8毫安

I

C

= 1A ，V

CE

= 2V

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

I

C

= 100mA时V

CE

= 5V,

F = 100MHz的

75

70

250

80

25

200

分钟。

55

80

5

100

10

10

典型值。

马克斯。

单位

V

V

V

nA

A

nA

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 基极截止电流

发射基截止电流

直流电流增益

在特性*

550

V

CE

（SAT）

集电极 - 发射极饱和电压

300

400

1.5

1.25

1

1

30

mV

mV

V

V

V

V

pF

兆赫

V

BE

（SAT）

V

BE

（上）

C

敖包

f

T

基射极饱和电压

基射极电压上

输出电容

跃迁频率

小信号特性

*脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2.0%

2002仙童半导体公司

修订版B1 ， 2002年8月

NZD560A

热特性

T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

P

D

R

θJA

器件总功耗

热阻，结到环境

参数

马克斯。

1.5

83

单位

W

° C / W

2002仙童半导体公司

修订版B1 ， 2002年8月

NZD560A

典型特征

1000

1000

TA = 125℃

0

V

CE

=2V

TA = 125℃

0

V

CE

=3V

h

FE

，直流电流增益

TA = -40℃

0

TA = 25℃

0

h

FE

，直流电流增益

TA = -40℃

0

TA = 25℃

0

100

100

10

0.1

1

10

10

0.1

1

10

I

C

[A] ，集电极电流

I

C

[A] ，集电极电流

图1.直流电流增益

图2.直流电流增益

10

V

CE

（饱和） [ V]时，饱和电压

V

BE

（饱和） [ V]时，饱和电压

I

C

=10I

B

1

I

C

=10I

B

1

TA = 25℃

0

TA = -25℃

TA = 125℃

0

0

0.1

TA = 125℃

TA = 25℃

0

0

0.01

TA = -40℃

0

1E-3

0.01

0.1

1

10

0.1

0.1

1

10

I

C

[A] ，集电极电流

I

C

[A] ，集电极电流

图3. Colletor发射极饱和电压

图4.基射极饱和电压

3

80

V

CE

=2V

70

I

E

=0,f=1MHZ

2

125 C

1

0

25 C

0

-40 C

0

0

0.0

C

ob

[ pF的] ，输出电容

1.2

I

C

[A] ，集电极电流

60

50

40

30

20

10

0

1

10

100

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V

BE

[ V]时，基极发射极电压

V

CB

[V] ，集电极 - 基极电压

图5.基射极电压上

图6.集电极输出电容

2002仙童半导体公司

修订版B1 ， 2002年8月

NZD560A

典型特征

（续）

2.0

P

D

[W] ，功率耗散

1.5

1.0

0.5

0.0

0

25

o

50

75

100

125

150

175

T

a

[C] ，环境温度

图7.功率降额

2002仙童半导体公司

修订版B1 ， 2002年8月

NZD560A

包装尺寸

D- PAK

6.60

±0.20

5.34

±0.30

(0.50)

(4.34)

(0.50)

0.70

±0.20

2.30

±0.10

0.50

±0.10

0.60

±0.20

6.10

±0.20

2.70

±0.20

9.50

±0.30

0.91

±0.10

0.80

±0.20

MAX0.96

2.30TYP

[2.30±0.20]

0.76

±0.10

2.30TYP

[2.30±0.20]

0.89

±0.10

0.50

±0.10

1.02

±0.20

2.30

±0.20

(0.70)

(0.90)

(0.10)

(3.05)

6.10

±0.20

9.50

±0.30

2.70

±0.20

(2XR0.25)

0.76

±0.10

单位：毫米

2002仙童半导体公司

修订版B1 ， 2002年8月

(1.00)

6.60

±0.20

(5.34)

(5.04)

(1.50)

MIN0.55

NZD560A

NZD560A

NPN低饱和晶体管

这些器件专为高电流增益，低饱和度

电压与集电极电流高达3.0A的连续。

从工艺NA来源。

1

D- PAK

2.Collector

3.Emitter

1.Base

绝对最大额定值*

T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

T

J

, T

英镑

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

- 连续

工作和存储结温范围

参数

价值

55

80

5

3

- 55 ~ +150

单位

V

V

V

A

°C

*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。

注意事项：

1 ）这些等级是基于对150度C的最高结温

2 ）这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用。

电气特性

T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

开关特性

BV

首席执行官

BV

CBO

BV

EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE

参数

测试条件

I

C

= 10毫安，我

B

= 0

I

E

= 100μA ，我

E

= 0

I

E

= 100μA ，我

C

= 0

V

CB

= 30V ，我

E

= 0

V

CB

= 30V ，我

E

= 0, T

A

= 100°C

V

EB

= 4V ，我

C

= 0

I

C

= 100mA时V

CE

= 2V

I

C

= 500毫安，V

CE

= 2V

I

C

= 1A ，V

CE

= 2V

I

C

= 3A ，V

CE

= 2V

I

C

= 1A ，V

CE

= 3V

I

C

= 1A ，我

B

= 100毫安

I

C

= 2A ，我

B

= 200毫安

I

C

= 1A ，我

B

= 8毫安

I

C

= 1A ，我

B

= 100毫安

I

C

= 1A ，我

B

= 8毫安

I

C

= 1A ，V

CE

= 2V

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

I

C

= 100mA时V

CE

= 5V,

F = 100MHz的

75

70

250

80

25

200

分钟。

55

80

5

100

10

10

典型值。

马克斯。

单位

V

V

V

nA

A

nA

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 基极截止电流

发射基截止电流

直流电流增益

在特性*

550

V

CE

（SAT）

集电极 - 发射极饱和电压

300

400

1.5

1.25

1

1

30

mV

mV

V

V

V

V

pF

兆赫

V

BE

（SAT）

V

BE

（上）

C

敖包

f

T

基射极饱和电压

基射极电压上

输出电容

跃迁频率

小信号特性

*脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2.0%

2002仙童半导体公司

修订版B1 ， 2002年8月

NZD560A

热特性

T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

P

D

R

θJA

器件总功耗

热阻，结到环境

参数

马克斯。

1.5

83

单位

W

° C / W

2002仙童半导体公司

修订版B1 ， 2002年8月

NZD560A

典型特征

1000

1000

TA = 125℃

0

V

CE

=2V

TA = 125℃

0

V

CE

=3V

h

FE

，直流电流增益

TA = -40℃

0

TA = 25℃

0

h

FE

，直流电流增益

TA = -40℃

0

TA = 25℃

0

100

100

10

0.1

1

10

10

0.1

1

10

I

C

[A] ，集电极电流

I

C

[A] ，集电极电流

图1.直流电流增益

图2.直流电流增益

10

V

CE

（饱和） [ V]时，饱和电压

V

BE

（饱和） [ V]时，饱和电压

I

C

=10I

B

1

I

C

=10I

B

1

TA = 25℃

0

TA = -25℃

TA = 125℃

0

0

0.1

TA = 125℃

TA = 25℃

0

0

0.01

TA = -40℃

0

1E-3

0.01

0.1

1

10

0.1

0.1

1

10

I

C

[A] ，集电极电流

I

C

[A] ，集电极电流

图3. Colletor发射极饱和电压

图4.基射极饱和电压

3

80

V

CE

=2V

70

I

E

=0,f=1MHZ

2

125 C

1

0

25 C

0

-40 C

0

0

0.0

C

ob

[ pF的] ，输出电容

1.2

I

C

[A] ，集电极电流

60

50

40

30

20

10

0

1

10

100

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V

BE

[ V]时，基极发射极电压

V

CB

[V] ，集电极 - 基极电压

图5.基射极电压上

图6.集电极输出电容

2002仙童半导体公司

修订版B1 ， 2002年8月

NZD560A

典型特征

（续）

2.0

P

D

[W] ，功率耗散

1.5

1.0

0.5

0.0

0

25

o

50

75

100

125

150

175

T

a

[C] ，环境温度

图7.功率降额

2002仙童半导体公司

修订版B1 ， 2002年8月

NZD560A

包装尺寸

D- PAK

6.60

±0.20

5.34

±0.30

(0.50)

(4.34)

(0.50)

0.70

±0.20

2.30

±0.10

0.50

±0.10

0.60

±0.20

6.10

±0.20

2.70

±0.20

9.50

±0.30

0.91

±0.10

0.80

±0.20

MAX0.96

2.30TYP

[2.30±0.20]

0.76

±0.10

2.30TYP

[2.30±0.20]

0.89

±0.10

0.50

±0.10

1.02

±0.20

2.30

±0.20

(0.70)

(0.90)

(0.10)

(3.05)

6.10

±0.20

9.50

±0.30

2.70

±0.20

(2XR0.25)

0.76

±0.10

单位：毫米

2002仙童半导体公司

修订版B1 ， 2002年8月

(1.00)

6.60

±0.20

(5.34)

(5.04)

(1.50)

MIN0.55

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联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

NZD560A

-

-

-

-

终端采购配单精选

深圳市壹芯创科技有限公司

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电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

NZD560A

-

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-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

深圳市华斯顿电子科技有限公司

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联系人：朱咸华

地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

NZD560A

VB

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绝对原装进口现货！渠道优势供应!

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FAIRCHILD/仙童

22+

33000

百分百进口正品原装现货支持实单！

深圳市创芯联盈电子有限公司

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FAIRCHILD/仙童

2443+

23000

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一级代理专营，原装现货，价格优势

北京首天伟业科技有限公司

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联系人：刘经理

地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008

NZD560A

FAIRCHILDRCHILD

21+22+

15800

SOT252

全新原装正品/质量有保证

深圳市芯福林电子科技有限公司

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联系人：张女士

地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B

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FAIRCHILDRCHILD

21+22+

27000

SOT252

原装正品

深圳市裕硕科技有限公司

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联系人：雷小姐

地址：深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711

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联系人：李经理

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FAIRCHILD/仙童

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联系人：朱

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24+

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