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NTUD3127C
小信号MOSFET
20 V 200毫安/
180
毫安，互补，
1.0× 1.0毫米SOT- 963封装
特点
互补MOSFET器件
1.5 V栅电压额定值
超薄档案（ < 0.5mm）的使其能够方便地在极
薄的环境中，如便携式电子产品。
这些无铅器件
应用
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
P- CHANNEL
20
V
R
DS （ ON）
最大
5.0
W
@
4.5
V
7.0
W
@
2.5
V
10
W
@
1.8
V
14
W
@
1.5
V
3.0
W
@ 4.5 V
N沟道
20 V
4.0
W
@ 2.5 V
6.0
W
@ 1.8 V
10
W
@ 1.5 V
0.20 A
0.18
A
I
D
最大
与电平转换负载开关
在超便携设备优化的电源管理
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
N沟道
连续漏极
电流（注1 ）
P- CHANNEL
连续漏极
电流（注1 ）
功耗
（注1 ）
漏电流脉冲
稳定
状态
t
v
5s
稳定
状态
t
v
5s
稳定
状态
t
v
5s
N沟道
P- CHANNEL
t
p
= 10
ms
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
200
800
600
55
to
150
200
260
mA
°C
mA
°C
I
D
符号
V
DSS
V
GS
价值
20
±8
160
115
200
140
100
180
125
mW
mA
单位
V
V
引脚： SOT- 963
S
1
1
6
D
1
G
1
2
5
G
2
D
2
3
顶视图
4
S
2
记号
图
SM
1
工作结温和存储温度
源电流（体二极管） （注2 ）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
SOT963
案例527AA
S
M
=具体设备守则
=日期代码
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4板，
1盎司铜。
2.脉冲测试：脉冲宽度
v300
女士，
占空比
v2%
订购信息
设备
NTUD3127CT5G
包
SOT963
（无铅）
航运
8000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
2008年8月，
第1版
1
出版订单号：
NTUD3127C/D
NTUD3127C
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态，最小焊盘（注3 ）
结 - 环境 - 吨
v
5秒（注3）
3.表面安装在FR4板上使用推荐的最小焊盘尺寸， 1盎司铜。
符号
R
qJA
最大
1000
600
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
N
P
N
I
DSS
P
零栅极电压漏极电流
N
P
N
P
V
GS
= 0 V, V
DS
=
5.0
V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 16 V
V
GS
= 0 V, V
DS
=
16
V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 5.0 V
I
D
= 250
mA
I
D
=
250
mA
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
T
J
= 25°C
20
20
50
200
50
200
100
100
100
100
nA
nA
V
符号
N / P
测试条件
民
典型值
最大
单位
零栅极电压漏极电流
I
DSS
I
GSS
栅极 - 源极漏电流
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±5.0
V
nA
基本特征
（注4 ）
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
N
P
N
P
N
P
R
DS （ ON）
N
P
N
P
N
P
正向跨导
g
FS
N
P
V
GS
= V
DS
I
D
= 250
mA
I
D
=
250
mA
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 100毫安
V
GS
=
4.5V,
I
D
=
100
mA
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 50毫安
V
GS
=
2.5V,
I
D
=
50
mA
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 20毫安
V
GS
=
1.8V,
I
D
=
20
mA
V
GS
= 1.5 V，I
D
= 10毫安
V
GS
=
1.5
V，I
D
=
10
mA
V
GS
= 1.2 V，I
D
= 1.0毫安
V
GS
=
1.2
V，I
D
=
1.0
mA
V
DS
= 5.0 V，I
D
= 125毫安
V
DS
=
5.0
V，I
D
=
125
mA
0.4
0.4
1.5
4.0
2.0
5.0
3.0
6.5
4.0
7.5
5.5
11.5
0.35
0.26
S
1.0
1.0
3.0
5.0
4.0
7.0
6.0
10
10
14
W
V
漏极至源极导通电阻
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
P
F = 1MHz时， V
GS
= 0 V
V
DS
=
15
V
N
F = 1MHz时， V
GS
= 0 V
V
DS
= 15 V
9.0
3.0
2.2
12
2.7
1.0
pF
4.开关的特点是独立的工作结点温度
http://onsemi.com
2
NTUD3127C
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
符号
N / P
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性，V
GS
= 4.5 V
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
N
P
V
GS
= 0 V，I
S
= 10毫安
V
GS
= 0 V，I
S
=
10
mA
P
V
GS
=
4.5
V, V
DD
=
15
V,
I
D
=
180
毫安，R
G
= 2.0
W
N
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 10 V，I
D
= 200毫安，
R
G
= 2.0
W
15
24
90
60
20
37
112
97
ns
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
T
J
= 25°C
0.60
0.65
1.0
1.0
V
4.开关的特点是独立的工作结点温度
http://onsemi.com
3
NTUD3127C
典型性能曲线
N沟道
0.4
I
D,
漏电流（安培）
2.5 V
V
GS
= 3 V至5 V
T
J
= 25°C
I
D,
漏电流（安培）
2.0 V
0.4
V
DS
≥
5 V
0.3
T
J
=
55°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
0.3
0.2
1.5 V
0.2
0.1
0.1
0
0
1
2
3
4
1.0 V
5
0
0
4
1
3
2
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
5
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ W）
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ W）
15
2.5
图2.传输特性
I
D
= 200毫安
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.05
V
GS
= 2.5 V
10
V
GS
= 4.5 V
5
0
0
1
2
3
4
5
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
I
D,
漏电流（安培）
图3.导通电阻与栅极电压
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
1000
1.75
R
DS （ON ） ，
漏极 - 源极
电阻（标准化）
1.5
I
D
= 200毫安
V
GS
= 4.5 V
I
DSS
，漏电（ NA）
V
GS
= 0 V
1.25
1.0
100
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
0.75
0.5
10
0.25
0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
1
0
4
8
12
16
20
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
4
NTUD3127C
典型性能曲线
N沟道
15
C，电容（pF ）
12
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
C
国际空间站
100
1000
V
DD
= 10 V
I
D
= 200毫安
V
GS
= 4.5 V
T， TIME （ NS ）
t
D（关闭）
t
f
t
r
10
t
D（上）
9
6
3
C
OSS
C
RSS
0
0
2
4
6
8
10 12 14
16 18 20
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
1
1
10
R
G
，栅极电阻（欧姆）
100
图7.电容变化
图8.电阻开关时间
变化与栅极电阻
0.2
I
S
，源电流（安培）
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
0.15
0.1
0.05
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
1.0
图9.二极管的正向电压与电流
http://onsemi.com
5
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NJU7200L52
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NTE5618
NJG1655SCC
NSBXT
NCP603SN280T1G
NRA156M06
NUF9005MNT4G
NPC820M2.5D6ZTRF
NM25C040EMT8
NTE238
NNL10-9
NZ48F000QBZ
NJU4066BD
NRN7C104JTG
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NTUD3127CT5G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市品优时代科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3003319701 复制
电话：0755-23612326
联系人：唐
地址：福田区振兴路华康大厦1栋519室
NTUD3127CT5G
ON
2019
79600
SOT-963
原装正品 钻石品质 假一赔十
深圳市恒达亿科技有限公司
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电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
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NTUD3127CT5G
ON
25+
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全新原装正品特价售销！
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联系人：朱先生
地址：深圳福田区振兴路华康大厦211
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电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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10000
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原厂一级代理，原装现货
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一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
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ON
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全新原装现货，原厂代理。
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电话：0755-22655674/15099917285
联系人：小邹
地址：深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
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电话：0755-82574045
联系人：张女士
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NTUD3127CT5G
ON
21+22+
12600
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原装正品
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0809+
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原装正品，支持实单
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深圳市碧威特网络技术有限公司
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