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HYMD132725A(L)8-K/H/L
串行存在检测
滨排序
BYTE ＃
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
41
42
43
44
45
62
63
功能说明
字节数写入在模块串行存储器
生产厂家
字节的SPD器件总数
基本内存类型
行地址在此集结号
列地址在此集结号
DIMM上的物理存储数
模块数据宽度
模块的数据宽度（续）
模块接口电压电平（ VDDQ ）
DDR SDRAM的CAS延时= 2.5 （ TCK ）的周期时间
DDR SDRAM的时钟存取时间在CL = 2.5 （ TAC）
模块配置类型
刷新率和类型
初级DDR SDRAM的宽度
错误检查DDR SDRAM的数据宽度
最小时钟延迟背到背随机列
地址（ TCCD ）
突发长度支持
银行对每个DDR SDRAM数
CAS延时支持
CS延迟
我们等待时间
DDR SDRAM模块属性
DDR SDRAM器件属性：一般
在CL = 2.0 （ TCK ） DDR SDRAM的周期时间
DDR SDRAM的时钟存取时间在CL = 2.0 （ TAC）
在CL = 1.5 （ TCK ） DDR SDRAM的周期时间
DDR SDRAM的时钟存取时间在CL = 1.5 （ TAC）
最小行预充电时间（TRP）
最小行激活与行活动的延迟（ TRRD ）
最低RAS到CAS延迟（ tRCD的）
最低活跃预充电时间（ tRAS的）
模块行密度
命令和地址信号输入建立时间（ TIS ）
命令和地址信号输入保持时间（ TIH ）
数据信号输入建立时间（ TDS ）
数据信号输入保持时间（ TDH ）
最小的主动/自动刷新时间（ TRC）
最小的自动刷新主动/自动刷新
指令周期（ tRFC ）
最大循环时间（ TCK最大）
最大DQS -DQ歪斜时间（ TDQSQ ）
最大读取数据保持倾斜因子（ TQHS ）
SPD版本的代码
校验和字节0 62
0.9ns
0.9ns
0.5ns
0.5ns
65ns
75ns
12ns
0.5ns
0.75ns
20ns
15ns
20ns
45ns
7.5ns
+/-0.75ns
:
K（ DDR266A @ CL = 2 ），H（ DDR266B@CL=2.5 ），L（ DDR200 @ CL = 2）
十六进制值
L
K
H
80h
08h
07h
0Ch
0Ah
02h
48h
00h
04h
8ns
+/-0.8ns
75h
75h
75h
75h
02h
80h
08h
08h
01h
0Eh
04h
0Ch
01h
02h
20h
40h
75h
75h
A0h
75h
00h
00h
20ns
15ns
20ns
50ns
1.1ns
1.1ns
0.6ns
0.6ns
70ns
80ns
12ns
0.6ns
0.75ns
50h
3Ch
50h
2Dh
90h
90h
50h
50h
41h
4Bh
30h
32h
75h
50h
3Ch
50h
2Dh
20h
90h
90h
50h
50h
00h
41h
4Bh
30h
32h
75h
00h
00h
27h
52h
ECH
46h
50h
30h
3Ch
75h
B0h
B0h
60h
60h
50h
3Ch
50h
32h
A0h
80h
80h
80h
2
2
1
1
L
记
功能支持
K
H
128字节
256字节
DDR SDRAM
12
10
2Bank
72位
-
SSTL 2.5V
7.5ns
+/-0.75ns
ECC
15.6us &自我刷新
x8
x8
1 CLK
2,4,8
4银行
2, 2.5
0
1
差分时钟输入
+/- 0.2Voltage宽容，
并发自动预充电
7.5ns
+/-0.75ns
10ns
+/-0.75ns
-
-
20ns
15ns
20ns
45ns
128MB
0.9ns
0.9ns
0.5ns
0.5ns
未定义
65ns
75ns
12ns
0.5ns
0.75ns
未定义
初始版本
-
10ns
+/-0.8ns
36 40保留，供VCSDRAM
46 61超集信息（可能在将来使用）
牧师/月0.5 。 02
15
