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HYMD132725A(L)8-K/H/L
AC特性
（交流工作条件，除非另有说明）
-K(DDR266A)
参数
写DQS高电平宽度
写DQS低电平宽度
时钟到DQS -在第一个上升沿
数据建立时间来DQS式（ DQ & DM）
数据保持时间为DQS式（ DQ & DM）
DQ & DM输入脉冲宽度
读DQS前导码时间
读DQS后同步时间
DQS写序言建立时间
DQS写序言保持时间
写DQS后同步时间
模式寄存器设置延时
退出自刷新到任何执行命令
平均周期刷新间隔
注意：
1.
2.
3.
4.
该计算占TDQSQ （最大值） ，片上电路和抖动的脉冲宽度失真。
在采样时钟的上升沿数据： A0 A11 ， BA0 BA1 ， CKE ， / CS ， / RAS ， / CAS ， / WE 。
对于命令/地址输入转换率> = 1.0V / ns的
对于命令/地址输入转换率> = 0.5V / ns到<1.0V / NS
该降额表用于增加TIS / TIH在情况下的输入转换速率低于0.5V / ns的。
输入建立/保持摆率降额表。
输入建立/保持摆率
V / ns的
0.5
0.4
0.3
5.
6.
7.
8.
9.
CK ， / CK摆率是> = 1.0V / ns的
这些参数保证设备定时，但它们不必在每台设备上进行测试，并且它们可以通过保证
设计和测试的相关性。
数据锁存数据选通信号（ LDQS / UDQS ）的上升沿和下降沿： DQ ， LDM / UDM 。
200个循环的自刷新退出命令，其中CKE保持高电平后稳定的输入时钟最小，完成要求
自刷新退出并锁定DDR SDRAM的内部DLL电路。
敏（ TCL ， TCH）是指实际时钟低电平时间的更小，作为提供给设备的实际时钟高电平时间（即本
值可以大于TCL和TCH）的最低指标。
三角洲TIS
ps
0
+50
+100
三角洲TIH
ps
0
0
0
符号
民
t
DQSH
t
DQSL
t
DQSS
t
DS
t
DH
t
DIPW
t
RPRE
t
RPST
t
WPRES
t
WPREH
t
WPST
t
MRD
t
XSC
t
REFI
0.35
0.35
0.75
0.5
0.5
1.75
0.9
0.4
0
0.25
0.4
2
200
-
最大
-
-
1.25
-
-
-
1.1
0.6
-
-
0.6
-
-
15.6
民
0.35
0.35
0.75
0.5
0.5
1.75
0.9
0.4
0
0.25
0.4
2
200
-
最大
-
-
1.25
-
-
-
1.1
0.6
-
-
0.6
-
-
15.6
民
0.35
0.35
0.75
0.6
0.6
2
0.9
0.4
0
0.25
0.4
2
200
-
最大
-
-
1.25
-
-
-
1.1
0.6
-
-
0.6
-
-
15.6
CK
CK
CK
ns
ns
ns
CK
CK
CK
CK
CK
CK
CK
us
8
6,7,
11~13
-H(DDR266B)
-L(DDR200)
单位
记
- 续 -
10. THP =最小半个时钟周期对于任何给定的周期，由时钟高或低时钟（TCH ， TCL ）定义。 TQHS由
tDQSQmax ，片上时钟电路的脉宽失真，数据管脚到管脚时滞和输出图案效果和p沟道型来
输出驱动器的n沟道型的变化。
牧师/月0.5 。 02
10
