LTC1735-1
应用S我FOR ATIO
表1
PGOOD引脚
直流电压： 0V至0.7V
条件
无电源良好指示
突发模式操作禁止/强制
连续电流反向启用
电源良好指示
突发模式，无反向电流
当电源是好的
无电源良好指示
突发模式工作已禁用
无反向电流
电阻上拉至
INT
VCC
（或其它DC
工作电压低于INTV
CC
)
电阻外部时钟：
（ 0V至1.5V ）
在图7所示的电路提供电源良好
输出和力连续操作。晶体管Q1
保持电压低于0.8V PGOOD引脚从而
停用突发模式工作。当窗口的COM
parator表示输出电压不符合其7.5％的
窗口中， Q1的基极被拉到接地和电源
良好的输出出现在Q2的集电极变为低电平。
INTV
CC
470k
100k
10k
动力
良好
PGOOD
引脚4
Q1
1735-1 F07
Q2
图7.强制连续工作具有电源状态良好指示
效率方面的考虑
的开关稳压器的百分效率等于
输出功率由输入功率乘以100％分。
重要的是要分析单个损耗，以确定是非常有用的
是什么限制了英法fi效率以及改变会
产生了最大的改善。 ％的效率可
表示为：
％ Ef中网络连接效率= 100％ - （L1 + L2 + L3 + ...）
其中， L 1 ，L 2，等等，都是个别的损失作为百分比
年龄的输入功率。
虽然在电路中产生的所有耗能元件
损失，四个主要来源通常占多数的
在LTC1735-1电路损耗： 1） LTC1735-1 V
IN
目前，
2 ） INTV
CC
目前，3）我
2
损失， 4 ）顶边MOSFET
转换损耗。
1. V
IN
电流是在给定的直流供电电流
电气特性不包括MOSFET驱动器
U
和控制电流。 V
IN
目前的结果在一个小
（ < 0.1 ％）的损失，与V增加
IN
.
2. INTV
CC
电流MOSFET驱动器的总和与
控制电流。 MOSFET驱动器目前的结果
从开关电源的栅极电容
的MOSFET。每次一个MOSFET的栅极，从切换
低到高再低，充电dQ的移动数据包
从INTV
CC
到地面。所得dQ的/ （dt）是一个电流
出了INTV
CC
这通常比大得多
控制电路的电流。在连续模式下，我
GATECHG
=
F（ Q
T
+ Q
B
） ，其中Q
T
和Q
B
是的栅极电荷
顶面和底面边MOSFET 。
由供电EXTV
CC
从输出衍生的源极（或
其它高效率源） ，附加的V
IN
当前
从驱动器和控制电流，从而将
通过（占空比） / （效率）的因子缩放。为
例如，在15V至1.8V的应用， INTV 10mA的
CC
目前的结果大约1.2毫安的V
IN
电流。
这减少了10％或更多的midcurrent损失（如
司机直接从V供电
IN
）到只有几
个百分点。
3. I
2
损失由的直流电阻预测
MOSFET，电感器和分流。在连续
模式下，平均输出电流流过L和
R
SENSE
但上部主体之间的“斩”
MOSFET和同步MOSFET 。如果两
的MOSFET具有近似相同的R-
DS （ ON）
，然后
一个MOSFET的电阻值可以简单地概括
用L和R的电阻
SENSE
获得我
2
R
损失。例如，如果每个R
DS （ ON）
= 0.02, R
L
=
0.03Ω ，且R
SENSE
= 0.01Ω ，则总电阻是
0.06Ω 。这导致的损失为3％至17％的
随着输出电流增加时，从图1A至5A为一个1.8V
输出，或4 ％至20％ ，输出1.5V 。效率
变化为V的平方成反比
OUT
对于相同的
外部元件和功率电平。我
2
亏损的原因
的效率下降在高输出电流。
4.转换损耗仅适用于上部MOSFET （S ）
当在高操作，只有成为显著
输入电压（典型地12V或更高）。过渡
损耗可以从公式估算：
过渡损耗= （ 1.7 ）V
IN2
I
O（最大值）
C
RSS
f
W
U
U
19
