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HYB25D256[16/40/80]0C[E/C/F/T](L)
256 Mbit的双数据速率SDRAM
电气特性
表20
参数
交流工作条件
1)
符号
分钟。
输入高电平（逻辑1 ）电压， DQ ， DQS和DM信号
输入低电平（逻辑0 ）电压， DQ ， DQS和DM信号
输入差分电压， CK和CK输入
输入收盘点电压， CK和CK输入
值
马克斯。
单位注/
TEST
条件
V
V
V
V
2)3)
2)3)
2)3)4)
2)3)5)
V
IH （AC）的
V
白细胞介素（AC）的
V
的ID （AC）的
V
IX（ AC）
V
REF
+ 0.31 —
—
V
REF
– 0.31
0.7
V
DDQ
+ 0.6
0.5
×
V
DDQ
0.5
×
V
DDQ
– 0.2
+ 0.2
1)
V
DDQ
= 2.5 V
±
0.2 V,
V
DD
= +2.5 V
±
0.2 V （ DDR200 - DDR333 ） ;
V
DDQ
= 2.6 V
±
0.1 V,
V
DD
= +2.6 V
±
0.1 V（ DDR400 ） ;
0
°C ≤
T
A
≤
70
°C
2 ）输入转换率= 1 V / ns的。
3 ）输入无法识别为有效，直到
V
REF
稳定。
4)
V
ID
是在CK上的输入电平，并在CK上的输入电平之间的差的量值。
5 ）的值
V
IX
预计相当于0.5
×
V
DDQ
发送设备的，并且必须跟踪变化的DC电平
同样的。
表21
参数
AC时序 - 绝对规格PC3200和PC2700
符号-5
DDR400B
分钟。
马克斯。
+0.5
0.55
8
12
12
0.55
–6
DDR333
分钟。
–0.7
0.45
6
6
7.5
0.45
马克斯。
+0.7
0.55
12
12
12
0.55
ns
2)3)4)5)
2)3)4)5)
单位注/
条件
1)
DQ输出访问时间
CK / CK
CK高电平宽度
时钟周期时间
t
AC
t
CH
t
CK
–0.5
0.45
5
6
7.5
t
CK
ns
ns
ns
CL = 3.0
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
CL = 2.5
CL = 2.0
t
CL
自动预充电写恢复
t
DAL
CK低电平宽度
+预充电时间
DQ和DM输入保持时间
DQ和DM输入脉冲宽度
（每个输入）
从DQS输出访问时间
CK / CK
DQS输入低（高）脉冲
宽度（写周期）
DQS -DQ歪斜（ DQS和
相关DQ信号）
0.45
(
t
WR
/
t
CK
)+(
t
RP
/
t
CK
)
0.4
1.75
–0.6
—
—
+0.6
—
+0.40
+0.40
1.25
—
0.45
1.75
–0.6
0.35
—
—
0.75
0.45
—
—
+0.6
—
+0.40
+0.45
1.25
—
t
CK
t
CK
ns
ns
ns
2)3)4)5)
2)3)4)5)6)
2)3)4)5)
2)3)4)5)6)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
t
DH
t
DIPW
t
DQSCK
t
DQSL ，H
0.35
t
DQSQ
—
—
t
CK
ns
ns
2)3)4)5)
2)3)4)5)
TFBGA
TSOPII
写命令1
st
的DQ
闭锁过渡
DQ和DM输入建立时间
t
DQSS
t
DS
0.72
0.4
t
CK
ns
2)3)4)5)
2)3)4)5)
数据表
69
修订版1.6 ， 2004-12
