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HYB25D256[16/40/80]0C[E/C/F/T](L)
256 Mbit的双数据速率SDRAM
电气特性
4.4
AC特性
（注1-5适用于以下表;电气特性和直流工作条件，工作交流
的条件下，
I
DD
规格和条件，以及电气特性和AC时序。 ）
笔记
1.所有电压参考
V
SS
.
2.试验AC时间，
I
DD
和电，交直流两用的特点，可在标称基准进行/
电源电压电平，但相关的规范和设备的操作，保证了全电压
范围内指定。
3.
图38
表示在定义部分的相关定时参数所使用的定时基准负荷。它
不旨在是典型的系统环境的任何一个精确的表示，也不是一个描
实际负荷由生产型测试仪介绍。系统设计人员将使用IBIS或其他仿真工具
相关的定时基准负荷的系统环境。制造商将关联到它们的生产
试验条件（一般的同轴传输线端接在测试电子元件） 。
4.交流的时间和
I
DD
测试可以使用
V
IL
to
V
IH
摆动高达1.5伏，在测试环境中，但输入定时是
仍参照
V
REF
（或交叉点为CK ， CK ） ，和参数规格保证
在正常使用条件下，指定的AC输入电平。最小转换速率为输入信号为1 V /
在之间的范围纳秒
V
白细胞介素（AC）的
和
V
IH （AC）的
.
5.交流和直流输入电平规格如SSTL_2标准定义（即接收器有效
交换机上横过交流输入电平的信号的结果，并且只要保持该状态作为信号
不回铃上（下）直流输入低（高）级） 。
6.对于系统特性一样设置&保持时间的降容压摆率， I / O三角洲上升/下降降额， DDR
SDRAM转换速率的标准，过冲&冲规范和钳
V
-
I
特点看
最新的JEDEC规格为DDR组件。
V
TT
50
产量
(
V
OUT
)
定时基准点
30 pF的
图38
AC输出负载电路框图/定时参考负载
数据表
68
修订版1.6 ， 2004-12
