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HYB25D256[16/40/80]0C[E/C/F/T](L)
256 Mbit的双数据速率SDRAM
功能说明
最大DQSS
T1
CK
CK
命令
地址
写
BA A，列B
T2
T3
T4
NOP
NOP
NOP
t
DQSS
（最大）
的DQ
DQ
DM
DLA -B
最低DQSS
T1
CK
CK
命令
地址
写
BA A，列B
NOP
NOP
NOP
T2
T3
T4
t
DQSS
（分钟）
的DQ
DQ
DM
DLA -B
DI A-B =为银行， B列数据。
在数据3后续元素被应用在以下DI AB编程的顺序。
显示非中断的突发。
A10为低使用写命令（自动预充电禁用） 。
不在乎
图18
突发写（突发长度= 4 ）
数据表
43
修订版1.6 ， 2004-12
