RIMM 128 / 144MB RDRAM
AC电气规格
符号
Z
T
PD
T
PD
参数和条件
模块的阻抗
平均时钟延迟形式的手指手指的所有RSL时钟网络
（ CTMN ， CFM和CFMN ）
RSL信号相对于给T的传播延迟变化
临时区议会
为4，6 ，8和12的设备的模块
RSL信号相对于给T的传播延迟变化
临时区议会
16个设备模块
T
PD- CMOS
V
/V
IN
á
V
XF
/V
IN
V
XB
/V
IN
SCK和CMD信号的传播延迟变化
相对于平均时钟延迟
b
衰减极限
正向串扰系数（为300ps输入上升时间20 ％-80％）
向后串扰系数（为300ps输入上升时间20 ％-80％）
民
25.2
-
-21
-24
-100
典型值
28
最大
30.8
SEE
表
a
21
24
100
SEE
表
a
SEE
表
a
SEE
表
a
单位
§
ns
ps
ps
ps
%
%
%
一。下表列出的参数和规格对使用的128Mb或144MB RDRAM设备的不同存储容量的RIMM模块。
B 。吨
PD
或平均时钟延迟被定义为从手指的平均延迟对手指的所有RSL的时钟网（CTM ， CTMN ， CFM ，和CFMN ）
。如果RIMM模块满足以下说明书中，那么它是符合规格。如果RIMM模块不符合这些
规范。然后该规范可以通过“调整来调整
T
PD
规范“表
调整
T
PD
规范
符号
T
PD
参数和条件
RSL信号相对于传播延迟变化
给T
PD
为4,6和8的设备模块
RSL信号相对于传播延迟变化
给T
PD
12个设备模块
RSL信号相对于传播延迟变化
给T
PD
16个设备模块
调整后的最小/最大
+/-[17+(18*N*
Z0)]
a
+/-[20+(18*N*
Z0)]
a
+/-[24+(18*N*
Z0)]
a
Asolute
最小/最大
-30
-40
-50
30
40
50
单位
ns
ps
ps
一。式中： N =安装RIMM模块上RDRAM设备的数量
Z0 = Z0增量（％）= （ Z0最大 - 最小Z0 ） / （分Z0 ）
（最大Z 0和Z 0分钟，从所加载的（高阻抗）得到的模块的所有的RSL层的阻抗券）
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Rev.1.0 Dec.99
