RIMM 128 / 144MB RDRAM
绝对最大额定值
信号
V
我， ABS
V
DD ， ABS
T
商店
参数
电压适用于任何RSL或CMOS引脚相对于GND
电压VDD相对于GND
储存温度
民
- 0.3
- 0.5
- 50
最大
V DD + 0.3
V DD + 1.0
100
单位
V
V
C
DC推荐电气条件
信号
V
DD
V
CMOS
V
REF
V
IL
V
IH
V
IL ， CMOS
V
IH ， CMOS
参数和条件
电源电压
在垫CMOS I / O电源为2.5V控制器：
在垫CMOS I / O电源为1.8V控制器：
参考电压
RSL输入低电压
RSL输入高电压
CMOS输入低电压
CMOS输入高电压
民
2.50 - 0.13
2.5 - 0.13
1.8 - 0.1
1.4 - 0.2
V
REF
- 0.5
V
REF
+ 0.2
- 0.3
0.5V
CMOS
+ 0.25
最大
2.50 + 0.13
2.5 + 0.25
1.8 + 0.2
1.4 + 0.2
V
REF
- 0.2
V
REF
+ 0.5
0.5V
CMOS
- 0.25
V
CMOS
+ 0.3
0.3
V
CMOS
- 0.3
-10×没有。 RDRAMs
a
10×没有。 RDRAMs
a
-10×没有。 RDRAMs
a
10×没有。 RDRAMs
a
-10.0
10.0
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
§
§
§
V
OL ， CMOS
CMOS输出低电压@ I
OL ， CMOS
= 1毫安
V
OH ， CMOS
CMOS输出高电压@ I
OH ， CMOS
= -0.25mA
I
REF
I
SCK ， CMD
I
SIN ， SOUT
V
REF
目前@ V
REF ，最大
CMOS输入漏电流@ （ 0
≤
V
CMOS
≤
V
DD
)
CMOS输入漏电流@ （ 0
≤
V
CMOS
≤
V
DD
)
一。下面的故事显示了128MB以上144MB RDRAM的设备包含在列存储容量的RIMM模块的数量
RIMM模块容量：
128MB的或144MB RDRAM的设备数量：
256MB
16
192MB
12
128MB
8
96MB
6
64MB
4
6
Rev.1.0 Dec.99
