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3 VOLT ADVANCED + BOOT BLOCK
1.2
产品概述
英特尔提供安全的低电压内存解决方案
与高级引导块系列产品。一
新块锁定功能，可以即时
零延迟任何块的锁定/解锁。一
128位保护寄存器允许独特的闪光
设备标识。
独立的电源引脚提供单电压读取，
编程和擦除功能，在2.7 V ，同时也
让12 V V
PP
为加快生产
编程。易-12 V，一个新的功能设计
减少外部逻辑，简化了电路板设计
当组合12 V的生产编程
2.7 V的现场编程。
在3伏高级+引导块闪存
产品有两种x8或x16封装
在下面的密度： （见第6 ，
订购
信息）
8兆位（ 8,388,608位）闪存举办
因为无论是512 K字每1024或16位
千字节或每8位。
16兆位（ 16777216位）快闪记忆体
作为组织或者1024 K字16位
每8位或每2048字节。
32兆位（ 33554432位）快闪记忆体
组织为任2048 K字的16位
每8位或每4096字节。
状态寄存器指示WSM状态
通过标志着块擦除或Word程序
完成和状态。
编程和擦除允许自动化和程序
擦除操作，以使用业界被执行
标准的双写的命令序列，以在CUI 。
项目操作中的字或字节为单位进行
增量。擦除操作擦除所有地点
内同时一个块。这两个方案，并
擦除操作可通过系统暂停
软件，以便从任何其它块读取。在
此外，数据可被编程到另一个块
擦除过程中暂停。
在3伏高级+引导块闪存
提供两种低功耗节省特性：自动
节电（APS）和待机模式。该
设备会自动进入APS模式下的
一个读周期的完成。待机模式
当系统通过取消选择该设备启动
驱动CE ＃无效。结合这两个力量
储蓄功能显著降低功耗
消费。
该设备可以通过降低RP ＃到GND复位。
这提供了CPU ，存储器复位同步
而对总线噪声附加保护
在系统复位和上电，可能会出现/下
序列（见第3.5节和3.6节） 。
参阅
DC特性
对于第4.4节
完成的电流和电压参数。参考
对
AC特性
章节4.5和4.6 ，对于
读取和写入性能规格。节目
和擦除时间在4.7节中所示。
E
八个8 -KB的参数块位于任一
顶端（用-T后缀）或底部（-B
所述地址的地图，以容纳后缀）
不同的微处理器协议的内核代码
位置。剩余的内存分为64
KB的主要模块。
所有的块可以被锁定或解锁立即向
提供对代码或数据的完整的保护。 （见
有关详细信息，第3.3节） 。
命令用户界面（CUI ）作为
接口
间
该
微处理器
or
微控制器和的内部运作
闪存。内部写状态机
（ WSM ）自动执行的算法和
必要的编程和擦除时序
操作，
INCLUDING
验证，
从而
unburdening微处理器或微控制器。
2.0
产品说明
本节提供了器件引脚说明和
为3伏高级+启动引脚封装
区块快闪记忆体系列，它可在40
引脚TSOP （ X8 ，图1 ） ， 48引脚TSOP （ X16 ，
图2）和48球
μBGA
包（图3
及4）。
2.1
封装引脚分配
在每个图中，由一个密度提升销
接下来是盘旋。
6
产品预览
