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3 VOLT ADVANCED + BOOT BLOCK
表2. 3伏高级+引导块引脚说明
（续）
符号
V
CCQ
TYPE
输入
名称和功能
E
I / O电源：
提供输入/输出缓冲力量。
[ 2.7 V - 3.6 V]该输入应直接连接到V
CC
.
[ 1.65 V- 2.5 V]下的I / O电源可应要求提供电压。
请联系您的英特尔代表以了解更多信息。
V
PP
输入/
供应
编程/擦除电源：
[ 1.65 V - 3.6 V或11.4 V- 12.6 V]
作为一个输入的逻辑电平来控制整个设备的保护。
供电加速编程和擦除操作在12 V
±
5 ％的范围内。该引脚不能悬空。
低V
PP
≤
V
PPLK
，以保护所有内容
对计划和
擦除命令。
集V
PP
= V
CC
在系统读取，编程和擦除操作。
In
该结构中， V
PP
可以降低至1.65 V至允许电阻或
从系统供应二极管压降。请注意，若V
PP
通过一个逻辑驱动的
信号V
IH =
1.65 。也就是说，V
PP
必须保持高于1.65V执行IN-
系统闪存的修改。
提高V
PP
至12 V
±
更快的编程和擦除5 ％
在生产
环境。采用12 V
±
5％至V
PP
只能为一个完成
最多1000次主块和2500个循环的
参数块。 V
PP
可被连接到12伏，总共80个小时
最大。请参见3.4节的V细节
PP
电压配置。
GND
NC
供应
地面：
对于所有内部电路。所有输入接地
必须
be
连接。
无连接：
引脚可被驱动或悬空。
2.2
块组织
2.2.1
参数块
在3伏高级+引导块是
非对称封闭架构，使
在一个单一的系统集成的代码和数据
闪光装置。每个块可以被擦除
独立于其他高达100,000倍。
对于每个块的地址单元，请参见
附录E和F的内存映射
在3伏高级+引导块闪存
架构包括参数块，以方便
存储频繁更新的小参数
（即，将通常被存储在数据
EEPROM）中。每个器件包含八个参数
8千字节/ 4 - K字块（ 8,192字节/ 4096
字） 。
2.2.2
主要模块
该参数块之后，对其余
阵列被划分为大小相等的（ 64千字/ 32
K字; 65,536字节/ 32,768字）主要模块
数据或代码存储器。每8兆位， 16兆位，或
32 - Mbit的器件包含15 ， 31 ，或63块为主，
分别。
10
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