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飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BUT11AF
图13 。典型的基极 - 发射极饱和电压。
V
BESAT
= F（我
B
） ;参数I
C
图14 。瞬态热阻抗。
Z
日J- HS
= F（T） ;参数D = T
p
/T
1997年8月
6
启1.000
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