飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BUT11AF
VCC
图标
90 %
IC
RL
VIM
0
tp
IB
RB
T.U.T.
ts
花花公子
IBON
10 %
tf
t
T
-IBoff
t
如图3所示。测试电路电阻负载。 V
IM
= -6至+ 8V
V
CC
= 250 V ;吨
p
= 20
s;
δ
= t
p
/ T = 0.01.
R
B
和R
L
从我计算
CON
我
BON
要求。
图6 。开关时间波形带感性负载。
90 %
图标
90 %
120
110
100
90
%
正常化降额
与复合散热器
IC
10 %
ts
吨
花花公子
IBON
10 %
tr
30ns
-IBoff
tf
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
部份效果/ C
100
120
140
P合计
IB
图4 。开关时间波形与电阻性负载。
图7 。归一化的功率降额和第二
击穿曲线。
VCC
6
5
4
IC / A
BUT11AX
LC
3
IBON
LB
T.U.T.
2
1
0
0
400
VCE / V
800
1200
-VBB
图5 。测试电路的电感性负载。
V
CC
= 300 V; -V
BE
= 5 V ; L
C
= 200 uH容; L
B
= 1 uH容
图8 。反向偏压安全工作区。牛逼
j
≤
T
j max的情况
1997年8月
3
启1.000
