飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU1506DX
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
均方根所有隔离电压
三个端子的外部
散热器
条件
F = 50-60赫兹;正弦
波形;
相对湿度
≤
65 ％ ;干净无尘
分钟。
-
典型值。
马克斯。
2500
单位
V
C
ISOL
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
-
10
-
pF
静态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
I
CES
I
CES
I
EBO
BV
EBO
V
CEOsust
R
be
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
h
FE
V
F
参数
集电极截止电流
2
发射极截止电流
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压维持
基极 - 发射极电阻
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
二极管的正向电压
条件
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
;
T
j
= 125 C
V
EB
= 7.5 V ;我
C
= 0 A
I
B
= 600毫安
I
B
= 0 ;我
C
= 100毫安;
L = 25毫亨
V
EB
= 7.5 V
I
C
= 3.0 A;我
B
= 0.79 A
I
C
= 3.0 A;我
B
= 0.79 A
I
C
= 0.3 A; V
CE
= 5 V
I
C
= 3.0 A; V
CE
= 5 V
I
F
= 3.0 A
分钟。
-
-
90
7.5
700
-
-
-
-
3.8
-
典型值。
-
-
-
13.5
-
55
-
-
12
5.5
1.6
马克斯。
1.0
2.0
180
-
-
-
5.0
1.1
-
7.5
2.0
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
动态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
C
c
参数
集电极电容
开关时间（行偏转
电路）
t
s
t
f
关闭存储时间
关断下降时间
条件
I
E
= 0 ; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
CM
= 3.0 A; L
C
= 1.35 mH的;
C
FB
= 9.4 nF的;我
B（完）
= 0.67 A;
L
B
= 8
H;
-V
BB
= 4 V;
（ -dI
B
/ DT = 0.45 A / μs）内
典型值。
47
马克斯。
-
单位
pF
4.5
0.25
6.0
0.5
s
s
2
测量正弦半波电压（波形记录器） 。
1997年9月
2
启1.300
