飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
特点
直接连接C-MOS ， TTL ，
等等
高速开关
无二次击穿。
描述
N沟道增强模式
在一个垂直的D- MOS晶体管
SOT223信封，供
作为线电流断续器中使用
电话机和用于在应用程序的
继电器，高速和线
变压器的驱动程序。
钉扎 - SOT223
1
2
3
MAM054
BSP128
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
参数
漏源电压
直流漏电流
漏源导通电阻
门源阈值电压
马克斯。
200
350
8
1.8
单位
V
mA
V
手册， halfpage
4
d
g
s
针
1
2
3
4
门
漏
描述
编号： BSP128
顶视图
来源
漏
Fig.1简化外形（ SOT223 ）和符号。
极限值
按照绝对最大系统（IEC 134）。
符号
V
DS
±V
GSO
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
直流漏电流
峰值漏极电流
总功耗
存储温度范围
结温
最多至T
AMB
= 25
°C
（注1 ）
漏极开路
条件
65
分钟。
马克斯。
200
20
350
1.4
1.5
150
150
单位
V
V
mA
A
W
°C
°C
热阻
符号
R
日J-一
记
1.装置安装在环氧树脂印刷电路板中， 40 ×40 ×1.5毫米，安装焊盘的漏极标签最小6厘米
2
.
参数
从结点到环境（注1 ）
热阻
83.3 K / W
1995年4月
2
