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分立半导体
数据表
BSP128
N沟道增强模式
垂直的D- MOS晶体管
产品speci fi cation
在分离式半导体， SC13b文件
1995年4月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
特点
直接连接C-MOS ， TTL ，
等等
高速开关
无二次击穿。
描述
N沟道增强模式
在一个垂直的D- MOS晶体管
SOT223信封，供
作为线电流断续器中使用
电话机和用于在应用程序的
继电器，高速和线
变压器的驱动程序。
钉扎 - SOT223
1
2
3
MAM054
BSP128
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
参数
漏源电压
直流漏电流
漏源导通电阻
门源阈值电压
马克斯。
200
350
8
1.8
单位
V
mA
V
手册， halfpage
4
d
g
s
针
1
2
3
4
门
漏
描述
编号： BSP128
顶视图
来源
漏
Fig.1简化外形（ SOT223 ）和符号。
极限值
按照绝对最大系统（IEC 134）。
符号
V
DS
±V
GSO
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
直流漏电流
峰值漏极电流
总功耗
存储温度范围
结温
最多至T
AMB
= 25
°C
（注1 ）
漏极开路
条件
65
分钟。
马克斯。
200
20
350
1.4
1.5
150
150
单位
V
V
mA
A
W
°C
°C
热阻
符号
R
日J-一
记
1.装置安装在环氧树脂印刷电路板中， 40 ×40 ×1.5毫米，安装焊盘的漏极标签最小6厘米
2
.
参数
从结点到环境（注1 ）
热阻
83.3 K / W
1995年4月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
±I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
关闭
参数
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
转移导纳
输入电容
输出电容
反馈电容
条件
I
D
= 10
A;
V
GS
= 0
V
DS
= 160 V; V
GS
= 0
±V
GS
= 20 V; V
DS
= 0
I
D
= 1毫安; V
GS
= V
DS
I
D
= 100毫安; V
GS
= 2.8 V
I
D
= 300毫安; V
DS
= 25 V
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0; F = 1 MHz的
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0; F = 1 MHz的
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0; F = 1 MHz的
I
D
= 250毫安; V
DD
= 50 V;
V
GS
= 0到10伏
I
D
= 250毫安; V
DD
= 50 V;
V
GS
= 0到10伏
分钟。
200
0.4
200
BSP128
典型值。马克斯。单位
5
400
50
20
5
1
100
1.8
8
80
30
10
V
A
nA
V
mS
pF
pF
pF
开关时间（见图
2
和
3)
开启时间
打开-O FF时间
5
20
10
30
ns
ns
手册， halfpage
VDD = 50 V
手册， halfpage
90 %
输入
10 %
10 V
0V
ID
50
MBB691
90 %
产量
10 %
吨
花花公子
MBB692
V
DD
= 50 V.
图2开关时间测试电路。
图3的输入和输出波形。
1995年4月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装;收集垫为良好的传热; 4引线
BSP128
SOT223
D
B
E
A
X
c
y
H
E
b
1
v
M
A
4
Q
A
A
1
1
e
1
e
2
b
p
3
w
M
B
细节X
L
p
0
2
规模
4 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.8
1.5
A
1
0.10
0.01
b
p
0.80
0.60
b
1
3.1
2.9
c
0.32
0.22
D
6.7
6.3
E
3.7
3.3
e
4.6
e
1
2.3
H
E
7.3
6.7
L
p
1.1
0.7
Q
0.95
0.85
v
0.2
w
0.1
y
0.1
概要
VERSION
SOT223
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
96-11-11
97-02-28
1995年4月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
初步speci fi cation
产品speci fi cation
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
生命支持应用
BSP128
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏
不当使用或销售。
1995年4月
5
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