飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
BSN304 ; BSN304A
手册， halfpage
2.5
k
2
MRC235
手册， halfpage
1.25
k
MRC236
(1)
1
(2)
1.5
0.75
1
0.5
0.5
0.25
0
50
0
50
100
TJ （ ° C）
150
0
50
0
50
100
TJ （ ° C）
150
R
DS
(
on
)
在T
j
k
= ----------------------------------------------.
R
DS
(
on
)
在25
°C
典型
DS （ ON）
;
(1) I
D
= 250毫安; V
GS
= 10 V.
(2) I
D
能力= 20 mA ; V
GS
= 2.4 V.
V
GS
(
th
)
在T
j
-
k
= --------------------------------------------
.
V
GS
(
th
)
在25
°C
图12的温度系数
导通电阻的漏极 - 源极。
的栅极 - 源极13所示的温度系数
阈值电压。
1995年4月
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