飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
BSN304 ; BSN304A
手册，全页宽
10
3
MRC241
第i个J-一
（K / W）
10
2
δ
=
0.5
0.2
10
0.1
0.05
0.02
0.01
1
0
P
tp
T
δ
=
tp
T
t
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
TP （多个）
10
3
结点10所示的瞬态到环境的热阻，作为脉冲的时间的函数。
MRC242
10
手册， halfpage
ID
(A)
1
(1)
TP =
10
s
100
s
1毫秒
10毫秒
P
10
2
tp
10
3
1
T
10
10
2
VDS （ V）
10
3
t
10
1
δ
= T
tp
DC
100毫秒
1s
δ
= 0.01; T
AMB
= 25
°C.
(1) R
DS （ ON）
限制。
图11 SOAR曲线。
1995年4月
6
