飞利浦半导体
产品speci fi cation
高频/甚高频功率晶体管
评级
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
集电极 - 发射极电压（V
BE
= 0)
峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流（平均值）
集电极电流（峰值） ; F
＆ GT ;
1兆赫
R.F.功耗高达至（f
＆ GT ;
1 MHz时） ;牛逼
mb
= 25
°C
储存温度
工作结温
V
CESM
V
首席执行官
V
EBO
I
C（ AV ）
I
CM
P
rf
T
英镑
T
j
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
BLW85
36 V
16 V
4 V
9 A
22 A
105 W
200
°C
65
to
+
150
°C
手册， halfpage
10
MGP612
MGP613
手册， halfpage
P
IC
(A)
120
rf
(W)
100
TH = 70
°C
TMB = 25
°C
80
短时
手术
在不匹配
连续
射频手术
通过降容
0.58 W / K
60
连续
直流手术
减免0.43 W / K
40
20
1
1
10
VCE （ V）
10
2
0
0
50
100
TH（ ° C）
150
图2直流飙升。
图3 R.F.功耗; V
CE
≤
16,5 V ; F
≥
1兆赫。
热阻
（损耗= 30瓦;吨
mb
= 79
°C,
即牛逼
h
= 70
°C)
从结点到安装基座（直流功耗）
从结点到安装基座（射频损耗）
从安装底座到散热片
R
日J- MB （ DC ）
R
日J- MB （ RF）
R
日MB -H
=
=
=
2.5 K / W
1.8 K / W
0.3 K / W
1993年3月
3
