飞利浦半导体
产品speci fi cation
高频/甚高频功率晶体管
描述
N-P - N型硅平面外延
晶体管用于在A级使用，
B和C运行移动H.F.和
v.h.f.发射机标称
12.5 V的电源电压
晶体管电阻稳定，
为保证承受严重
负载失配条件下用
到16,5 V.电源过电压
匹配
FE
基团可在
请求。
它有一个8"分之3法兰信封一个
陶瓷帽。所有的线索都隔离
从凸缘。
BLW85
快速参考数据
R.F.性能达至T
h
= 25
°C
操作模式
C.W. （ B类）
s.s.b. （ AB类）
V
CE
V
12,5
12,5
f
兆赫
175
1,628
P
L
W
45
3-30 （ P.E.P. ）
＆ GT ;
G
p
dB
4,5
＆ GT ;
（典型值） 。 19,5
η
%
75
（典型值） 。 35
z
i
1,4
+
j1,5
Z
L
2,7j1,3
d
3
dB
典型值。
33
引脚配置
halfpage
钉扎 - SOT123
针
1
描述
集热器
辐射源
BASE
辐射源
1
4
c
手册， halfpage
2
3
4
e
b
MBB012
2
3
MSB057
Fig.1简化外形和符号。
产品安全本设备采用氧化铍的粉尘是有毒的。该装置是完全
安全规定， BeO的光盘不被损坏。
1993年3月
2
