BG3123...
双N沟道MOSFET四极管
4
5
6
两个增益控制输入级的UHF
和VHF -tuners如（ NTSC ， PAL ）
优化UHF （AMP ; B ）和甚高频（安培A）
集成门极保护二极管
高AGC范围，低噪声系数，高增益
在增益减少，提高了交叉调制
BG3123
6
5
4
2
1
3
VPS05604
BG3123R
6
5
4
漏
AGC
HF
输入
G2
G1
R
G1
V
GG
高频输出
+ DC
B
A
1
2
3
1
B
A
2
3
GND
EHA07461
ESD
:
E
LECTRO
s
TATIC
d
ischarge敏感器件，观察处理防范！
TYPE
BG3123
BG3123R***
包
SOT363
SOT363
1=G1* 2=G2
1 = G1 ** 2 = S
引脚配置
3=D*
3=D**
4=D**
4=D*
5=S
5=G2
记号
6 = G1 **科斯
6 = G1 * KRS
*对于放大器。 A; **的放大器。 B
***目标数据
180 °旋转的磁带加载方向可用
最大额定值
参数
漏源电压
连续漏电流
功放。一
功放。 B
门1 / 2门源电流
门1 / 2门源电压
总功耗
储存温度
通道温度
±I
G1/2SM
±V
G1/G2S
P
合计
T
英镑
T
ch
符号
V
DS
I
D
25
20
1
6
200
-55 ... 150
150
V
mW
°C
价值
8
单位
V
mA
1
Feb-27-2004
