PA04 PA04A
一般
请阅读“一般操作注意事项”节
化，其中包括稳定性，耗材，散热，安装，
限流， SOA的解释，和特异性阳离子interpreta-
化。附加信息可以在应用程序中找到
注释。有关封装外形信息，散热片，并
安装硬件，请参阅“附件和包装
机械数据“手册的部分。该EK04评估显
ATION套件使得原型电路瞬间通过提供
EK04PC原型电路板， MS05配接插座， HS11
散热器和硬件工具包。
操作
注意事项
睡眠模式操作
在睡眠模式下，引脚12 （休眠）被连接到引脚9 （ + V
BOOST
).
这将禁用放大器的内部参考和扩增
费里关闭除3 mA的电流涓流流动
进针12针12应保持开放，如果睡眠模式是不
所需。
几种可能的电路可以建拍到的优点
此模式。在图2A中的小信号继电器由一个逻辑驱动的
门。这消除了需要处理的常见
模式电压上存在遮断电路由于睡眠
模式被引用到+ V
BOOST
电压。
在图2B中，电路是用来水平平移的睡眠
模式输入信号。差分输入激活休眠模式
用差分逻辑电平信号，并且允许普通模式
电压
±V
BOOST
.
逻辑
K1
9
+V
BOOST
电流限制
两限流线条感都可以直接连接
整个限流检测电阻。
对于目前的限
正常工作针11必须被连接到放大器
输出侧和销10连接到的负载侧
限流电阻，R
CL
如示于图1 。
这
连接将绕过任何寄生电阻，反相，形成
通过插座和焊点以及内部放大器的损失。
限流电阻器可能无法在任何位置
输出电路以外的地方，如图1所示。
限流电阻器的值可以计算为
如下所示：
.76
R
CL
=
I
极限
R
f
12
睡觉
图2A 。休眠模式的电路。
560
470
Q1
1K
Q2
–V
BOOST
9
+V
BOOST
图1 。
电流限制。
12
Ri
输入
10
1
CL
2
CL
PA04
11
7
R
P
R
CL
+
睡觉
逻辑
输入
470
R
L
-
安全工作区（ SOA ）
这种权力运作扩增的MOSFET输出级
费里有两个明显的局限性：
1. MOSFET的几何形状的电流处理能力
与引线键合。
2.输出MOSFET的结温。
注意：
输出级进行保护，防止瞬态反激式。
然而，对于防止持续，高能量
反激式，外部快速恢复二极管应使用。
20
t=
图2B 。
休眠模式的电路。
升压操作
与V
BOOST
特色的小信号阶段
扩增fi er是在更高的电源电压低于操作
扩增fi er的高电流输出级。 + V
BOOST
（引脚9）和
–V
BOOST
（引脚5）被连接到的小信号电路
放大器。 + V
S
（引脚8）和-V
S
（引脚6 ）被连接到所述高
电流输出级。一个额外的5V在V
BOOST
销是
足以使小信号级，以驱动输出
晶体管进入饱和状态而提高输出电压
必要时摆动额外的外汇基金fi cient操作。当关闭
摆动到供电轨不需要+ V
BOOST
和+ V
S
引脚必须绑在一起，以及在-V
BOOST
和-V
S
销。升压电压引脚不能在电压低于
在V
S
销。
t=
10
m
s
10
D
输出电流（A ）
1m
s
C
5.0
D
C
Tc
D
C
Tc
85
Tc
=
=
25
°C
2.0
=
°C
12
5°
赔偿金
外部补偿组件
C
和R
C
是
连接到引脚3和4单位增益稳定，可以实现
在任何补偿容量大于330 pF的与在
至少有60度的相位裕度。在更高的收益更多的相位
移可以在大多数设计中，补偿被容忍
电容可以相应地减少，从而导致更高的
带宽和压摆率。使用典型工作曲线为
指导，以选择C
C
和R
C
对于该应用程序。
C
1.0
.5
.2
2
100
5
10
20
50
供应输出差分（ V）
200
此数据表已经被仔细检查，被认为是可靠的，但是，没有承担责任的可能不准确或遗漏。所有规格如有变更，恕不另行通知。
PA04U REV 。我1997年12月1997顶点微技术公司
