PA04 PA04A
绝对最大额定值
电源电压+ V
S
为±V
S
升压
输出电流，内部SOA
功耗，内部
输入电压，差分
输入电压，共模
温度，焊针 - 10S
温度，结
2
温度，贮藏
工作温度范围，案例
PA04
测试条件
1
绝对最大额定值
特定网络阳离子
200V
电源电压+ 20V
20A
200W
±20V
±V
S
300°C
150°C
-65到+ 150°C
-55到+ 125°C
PA04A
最大
民
典型值
最大
单位
特定网络阳离子
参数
输入
失调电压，初始
失调电压与温度
失调电压，与电源
失调电压，与电源
偏置电流，初始
偏置电流与电源
偏置电流，初始
输入阻抗，直流
输入电容
共模电压范围
共模抑制， DC
输入噪声
收益
开环， @ 15Hz的
增益带宽积
功率带宽
相位裕度
产量
电压摆幅
电压摆幅
电流，峰值
建立时间0.1 ％
压摆率
容性负载
阻力
电源
电压
整个温度范围
当前，静态，升压电源
当前，静态总
当前，静态总，睡眠模式全温度范围
热
电阻，交流，结到管壳
3
电阻，直流，结到管壳
阻力
4
，结点到空气
温度范围内的情况下
注意事项：
*
1.
2.
3.
4.
整个温度范围内， F>60Hz
整个温度范围内， F<60Hz
整个温度范围
满足全系列规格
±15
I
O
= 15A
V
BOOST
= VS + 5V ，我
O
= 20A
A
V
= 1， 10V步骤中，R
L
= 4
A
V
= 10, C
C
= 100pF电容，R
C
= 120
整个温度范围内，A
V
= +1
整个温度范围内，C
C
= 100pF的
I
O
= 10A
R
L
= 4.5, V
O
= 180V P-P
C
C
= 100pF电容，R
C
= 120
整个温度范围
94
整个温度范围
整个温度范围
民
典型值
整个温度范围
全温。范围内，V
CM
=
±20V
100kHz的带宽，R
S
= 1K
±V
B
-8
86
5
30
15
30
10
.01
10
10
11
13
98
10
102
2
90
60
10
50
50
50
*
*
2
10
*
10
5
*
5
*
*
*
*
*
*
*
*
5
30
20
20
mV
μV/°C
V/V
μV / W
pA
PA / V
pA
pF
V
dB
μVRMS
dB
兆赫
千赫
°
*
±V
S
-8.8
±V
S
-7.5
±V
S
-6.8
±V
S
-5.5
20
2.5
40
50
10
2
*
*
*
*
*
*
*
*
*
V
V
A
s
V / μs的
nF
±75
30
70
3
.3
.5
12
±100
40
90
5
.4
.6
85
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
V
mA
mA
mA
° C / W
° C / W
° C / W
°C
–25
*
PA04A的规格是相同的向左在适用柱规格为PA04 。
除非另有说明：T已
C
= 25°C, C
C
= 470pF的，R
C
= 120欧姆。直流输入规格
±
值给出。电源
电压是典型的投资评级。
±V
BOOST
=
±V
S
.
在最大结温长期运行会导致降低产品寿命。减免内部功耗
实现高平均无故障时间。为指导，请参阅散热器数据表。
等级的情况发生的速率的两个输出晶体管之间的输出电流交替比60赫兹速度更快。
在PA04必须使用散热片或静态功耗可驱动单元结温超过150 ° C以上。
该PA04是从MOSFET晶体管构成。 ESD处理程序必须得到遵守。
内部基材中含有氧化铍（ BeO的） 。不要打破封印。如果不慎破裂，不粉碎，机，或
受温度超过850℃ ，以避免产生有毒烟雾。
小心
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