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HYS 64 （72） V8200 / 16220GU -8 / -10
SDRAM模块
AC特性
3, 4
T
A
= 0至70
°C;
V
SS
= 0 V;
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 1纳秒
参数
符号
-8
PC100-222
分钟。
时钟和时钟使能
时钟周期时间
t
CK
CAS延时= 3
CAS延时= 2
系统频率
f
CK
CAS延时= 3
CAS延时= 2
时钟存取时间
t
AC
CAS延时= 3
CAS延时= 2
时钟高电平脉冲宽度
时钟低脉冲宽度
输入建立时间
输入保持时间
CKE建立时间
（掉电模式）
CKE建立时间
（自刷新退出）
转换时间
（上升和下降）
通用参数
RAS到CAS延迟
预充电时间
主动命令时期
周期
银行银行延迟时间
CAS到CAS延迟时间
（同一银行）
10
10
–
–
–
–
3
3
2
1
2.5
8
1
–
–
100
100
6
6
–
–
–
–
–
–
–
10
12
–
–
–
–
3
3
2
1
2.5
10
1
–
–
100
83
6
7
–
–
–
–
–
–
–
10
15
–
–
–
–
3.5
3.5
3
1
3
8
1
–
–
100
66
8
9
–
–
–
–
–
–
–
ns
ns
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4, 5
限值
-8B
PC100-323
分钟。
马克斯。
-10
PC66
分钟。
马克斯。
单位
记
马克斯。
t
CH
t
CL
t
CS
t
CH
t
CKSP
t
CKSR
t
T
6
6
7
7
8
9
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
t
RRD
t
CCD
20
20
50
70
16
1
–
–
100k
–
–
–
20
30
60
80
20
1
–
–
100k
–
–
–
30
30
70
80
20
1
–
–
100k
–
–
–
ns
ns
ns
ns
ns
CLK
半导体集团
9
1998-08-01
