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3.3 V 8M
×
72分之64位1银行SDRAM模块
3.3 V 16M
×
72分之64位2行SDRAM模块
168针无缓冲DIMM模块
HYS 64 / 72V8200GU
HYS 64 / 72V16220GU
168 PC100引脚兼容的缓冲8字节双列直插式SDRAM模块
用于PC的主存储器的应用
1银行8M
×
64, 8M
×
72和2个银行16M
×
64, 16M
×
72组织
优化字节写非奇偶校验或ECC应用
JEDEC标准同步DRAM ( SDRAM )
完全的PC板布局兼容Intel的1.0版模块规格
SDRAM性能
-8
-8B
100
6
-10
66
8
单位
兆赫
ns
f
CK
t
AC
时钟频率(最大)
时钟存取时间
100
6
编程的潜伏期
产品速度
-8
-8B
-10
PC100
PC100
PC66
CL
2
3
2
t
RCD
2
2
2
t
RP
2
3
2
单+ 3.3V( ± 0.3 V )电源
可编程CAS延迟,突发长度和换行序列
(顺序&交错)
自动刷新( CBR)和自刷新
去耦电容安装在基板
所有的输入,输出是LVTTL兼容
串行存在检测为E
2
舞会
采用8M
×
8 SDRAM的在TSOPII -54封装
4096刷新周期每64毫秒
133.35 mm
×
31.75 mm
×
4.00毫米卡的大小与金触点垫
半导体集团
1
1998-08-01
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